[发明专利]一种硅雪崩光电二极管组件及其制作方法

权利要求书

1.一种硅雪崩光电二极管组件，其特征在于，所述硅雪崩光电二极管组件包括：硅雪崩光电二极管和距离所述硅雪崩光电二极管的衬底至少3倍光波波长处的超材料，所述超材料的电磁共振波长位于400nm-780nm之间，入射光通过超材料之后再进入硅雪崩光电二极管；所述超材料是由制作在玻璃基板上的金属层与介质层交替排列所形成的周期性多层结构组成。

2.根据权利要求1所述的硅雪崩光电二极管组件，其特征在于，所述超材料的周期性多层结构的层数在3层或3层以上。

3.根据权利要求1所述的硅雪崩光电二极管组件，其特征在于，所述金属层为银层。

4.根据权利要求1所述的硅雪崩光电二极管组件，其特征在于，所述介质层为氮化硅层、二氧化钛层、三氧化二铝层或二氧化硅层。

5.一种硅雪崩光电二极管组件的制作方法，其特征在于，所述硅雪崩光电二极管组件的制作方法包括：提供一硅雪崩光电二极管并在距离硅雪崩光电二极管的衬底至少3倍光波波长处形成一超材料，所述超材料的电磁共振波长位于400nm-780nm之间，使入射光通过超材料之后再进入所述硅雪崩光电二极管；所述超材料是采用电子束蒸发或者溅射的方法，依次在一玻璃基板上生长金属层和介质层，重复此生长过程即获得周期性多层结构。

6.根据权利要求5所述的硅雪崩光电二极管组件的制作方法，其特征在于，所述超材料的周期性多层结构的层数在3层或3层以上。

7.根据权利要求5所述的硅雪崩光电二极管组件的制作方法，其特征在于，所述金属层为银层。

8.根据权利要求5所述的硅雪崩光电二极管组件的制作方法，其特征在于，所述超材料的介质层为氮化硅层、二氧化钛层、三氧化二铝层或二氧化硅层。