[发明专利]微晶玻璃薄板的制备工艺

权利要求书

1.一种微晶玻璃薄板的制备工艺，其特征在于，包括以下步骤：

步骤一、分别称取一定量的SiO₂、Al₂O₃、K₂O、Na₂O、CaO、MgO、F及澄清剂，混合均匀，得到配合料，其中，以重量百分比计，各组分的含量具体为：SiO₂ 55.0％～64.5％；Al₂O₃ 5.0％～7.0％；K₂O 3.0％～4.5％；Na₂O 9.2～10.9％；CaO 15.5～25.5％；MgO 0.1％～0.45％；F 3.5～5.5％；澄清剂0.6％；

步骤二、将所述配合料加入熔窑，在熔制温度为1510～1520℃下进行熔化，将熔化后的配合料在搅拌的条件下进行澄清处理，生成均匀的玻璃熔液；

步骤三、将所述均匀的玻璃熔液进入三辊辊压机进行辊压压延，形成玻璃板，其中，进辊压机的温度为1000～1045℃，出辊压机的温度为800～845℃；

步骤四、将所述玻璃板经过过渡辊台进入辊道窑，进行初级成核、强化成核和晶化过程，得到微晶玻璃薄板，其中，所述晶化过程的晶化温度为780～799℃，晶化时间为90～120min；

步骤五、将得到的微晶玻璃薄板进行退火、冷却，再进行抛光、切边，得到厚度为2～10mm的微晶玻璃薄板产品。

2.如权利要求1所述的微晶玻璃薄板的制备工艺，其特征在于，所述步骤二中，所述熔制温度为1515℃。

3.如权利要求1所述的微晶玻璃薄板的制备工艺，其特征在于，所述步骤三中，所述均匀的玻璃熔液进辊压机的温度为1000～1035℃，出辊压机的温度为800～835℃。

4.如权利要求1所述的微晶玻璃薄板的制备工艺，其特征在于，所述步骤四中，所述晶化温度为780～795℃。

5.如权利要求1所述的微晶玻璃薄板的制备工艺，其特征在于，所述步骤二中，所述澄清处理的温度为1340～1360℃。

6.如权利要求1所述的微晶玻璃薄板的制备工艺，其特征在于，所述步骤四中，初级成核过程的温度为600～700℃，时间为60～150min。

7.如权利要求1所述的微晶玻璃薄板的制备工艺，其特征在于，所述步骤四中，强化成核过程的温度为700～800℃，时间为45～90min。