[发明专利]一种超低功耗高速强适应性的灵敏放大器结构

权利要求书

1.一种超低功耗高速强适应性的灵敏放大器结构，其特征在于，由均压模块A、信号传输开关模块B、信号放大模块C构成，所述均压模块A由晶体管M1、晶体管M2、晶体管M3构成；晶体管M1、晶体管M2、晶体管M3的栅极相互连接并与端口EQU_N连接，晶体管M2的漏极分别与晶体管M1的源极、输入端口IN0连接，晶体管M3的漏极分别与晶体管M1的漏极、输入端口IN1连接；晶体管M2、晶体管M3的源极均接至地端GND；

所述信号传输开关模块模块B由晶体管M4～M11构成，所述晶体管M4、晶体管M5的源极互连后连接至输入端口IN0；晶体管M4、晶体管M5的漏极互连后连接至节点b；晶体管M4的栅极连接至节点S1，晶体管M5的栅极连接至节点sen_1；晶体管M6、晶体管M7的源极互连后连接至输入端口IN1；晶体管M6、晶体管M7的漏极互连后连接至节点c；晶体管M6的栅极连接至节点sen_0；晶体管M7的栅极连接至节点S0；晶体管M8、晶体管M9的源极互连后连接至节点b；晶体管M8、晶体管M9的漏极互连后连接至节点sen_0；晶体管M8的栅极连接至端口SIN_N；晶体管M9的栅极连接至端口SIN；晶体管M10、晶体管M11的源极互连后连接至节点c；晶体管M10与晶体管M11的漏极互连后连接至节点sen_1；晶体管M10的栅极连接至端口SIN；晶体管M11的栅极连接至端口SIN_N；

所述信号放大模块C由晶体管M12～M20，反相器M21～M24组成；晶体管M12、晶体管M13的源极均连接至电源VDD；晶体管M12、晶体管M13的栅极均连接至端口EQU；晶体管M12的漏极连接至节点sen_0，晶体管M13的漏极连接至节点sen_1；晶体管M14、晶体管M16的漏极互连后连接至节点sen_0；晶体管M14、晶体管M16的栅极互连后连接至节点sen_1；晶体管M14的源极连接至电源VDD；晶体管M16的源极连接至节点a；晶体管M15、晶体管M17的漏极互连后连接至节点sen_1；晶体管M15、晶体管M17的栅极互连后连接至节点sen_0；晶体管M15的源极连接至电源VDD，晶体管M17的源极连接至节点a；晶体管M20的漏极连接节点a、源极连接至地GND、栅极连接至端口SA_EN；晶体管M18的源极、漏极和衬底互连接至地端GND、栅极连接至节点sen_0；晶体管M19的源极、漏极和衬底互连接至地端GND、栅极连接至节点sen_1；反相器M21的输入端口连接至节点sen_0、输出端口连接至节点S0；反相器M22的输入端口连接至节点sen_1、输出端口连接至节点S1；反相器M23的输入端口连接至节点S0、输出端口连接至端口OUT0；反相器M24的输入端口连接至节点S1、输出端口连接至OUT1；

所述晶体管M1、M2、M3、M5、M6、M9、M10、M16～M20均为NMOS晶体管；所述晶体管M4、M7、M8、M11、M12～M15均为PMOS晶体管；

所述端口EQU_N为端口EQU信号反相的信号端口；所述端口SIN_N为端口SIN信号反相的信号端口。