[发明专利]一种宽响应谱的太赫兹量子阱光电探测器及其制备方法

权利要求书

1.一种宽响应谱的太赫兹量子阱光电探测器，其特征在于，包括：

衬底；

下电接触层，结合于所述衬底表面；

第一多量子阱层，结合于所述下电接触层表面，当其量子阱周期数N1所对应的峰值响应频率为f1，最大工作偏压为V1；

中电接触层，结合于所述第一多量子阱层表面；

第二多量子阱层，结合于所述中电接触层表面，当其量子阱周期数N2所对应的峰值响应频率为f2，最大工作偏压为V2；

上电接触层，结合于所述第二多量子阱层表面；

其中，f1<f2，且所述第一多量子阱层的实际量子阱周期数M1与所述第二多量子阱层的实际量子阱周期数M2满足：

$\frac{M1}{M2}=\frac{N1\&times;V2}{N2\&times;V1};$

所述下电接触层、中电接触层及上电接触层分别形成有下金属电极、中金属电极及上金属电极，且所述上金属电极及下金属电极短接为器件的第一电极，而中金属电极层为器件的第二电极。

2.根据权利要求1所述的宽响应谱的太赫兹量子阱光电探测器，其特征在于：所述第一多量子阱层及第二多量子阱层的峰值响应频率及最大工作偏压由各自的多量子阱势阱的宽度、势垒的宽度、势垒的高度和多量子阱中的n型掺杂浓度以及多量子阱的周期数决定。

3.根据权利要求1所述的宽响应谱的太赫兹量子阱光电探测器，其特征在于：所述第一多量子阱层及第二多量子阱层的周期性多量子阱结构中，势阱的材料为GaAs，势垒的材料为Al_xGa_1-xAs，0<x<1。

4.根据权利要求1所述的宽响应谱的太赫兹量子阱光电探测器，其特征在于：所述第一多量子阱层及第二多量子阱层中，势阱的中央区域均具有Si掺杂，该中央区域的厚度范围为8～12nm。

5.根据权利要求1所述的宽响应谱的太赫兹量子阱光电探测器，其特征在于：所述下电接触层、中电接触层及上电接触层的材料为Si掺杂的GaAs，厚度范围为400μm～800μm。

6.根据权利要求1所述的宽响应谱的太赫兹量子阱光电探测器，其特征在于：所述第一多量子阱层呈台阶状结合于所述下电接触层，以露出部分的下电接触层，该露出的下电接触层表面形成有下金属电极；所述第二多量子阱层呈台阶状结合于所述中电接触层，以露出部分的中电接触层，该露出的中电接触层表面形成有中金属电极；所述上电接触层表面形成有上金属电极；所述上金属电极及下金属电极通过金线焊接进行短接，两者共同成为器件的第一电极，而中金属电极层为器件的第二电极。