[发明专利]一种DDR快速测量方法在审
| 申请号： | 201510756168.X | 申请日： | 2015-11-09 |
| 公开（公告）号： | CN105427894A | 公开（公告）日： | 2016-03-23 |
| 发明（设计）人： | 张晓;付猛猛 | 申请（专利权）人： | 浪潮电子信息产业股份有限公司 |
| 主分类号： | G11C29/56 | 分类号： | G11C29/56 |
| 代理公司： | 济南信达专利事务所有限公司 37100 | 代理人： | 张靖 |
| 地址： | 250101 山东*** | 国省代码： | 山东;37 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 ddr 快速 测量方法 | ||
【权利要求书】：
1.一种DDR快速测量方法，其特征在于：DDR内存在上系统平台前，先做一次相关的阻抗测试，通过测试工具检查内存单体的好坏，根据测试工具测试的结果，将好的内存上板测试。
2.根据权利要求1所述的一种DDR快速测量方法，其特征在于：所述方法涉及的测试工具，其结构包括PCB电路板，DDR插座，所述电路板上设置有内存测试点位，其中包括：电源PVPP、电源PVTT、电源PVDDQ及GND的测试点位；通过测试相应的点位，判断内存的电源点及对地阻抗情况。
3.根据权利要求2所述的一种DDR快速测量方法，其特征在于：所述测试工具PCB布线的铜箔的通流量符合电流大小的要求，使用的内存接触DIMM符合行业内规范。
4.根据权利要求2或3所述的一种DDR快速测量方法，其特征在于：所述测试工具上的测试点位包括：VrefCA、12V、VSS、VDD、Vtt、Vpp、VDDSPD。
5.根据权利要求4所述的一种DDR快速测量方法，其特征在于：所述DDR内存包括DDR3内存和DDR4内存。
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