[发明专利]一种控制铜铟镓金属预制层在高温硒化过程中钼和硒反应的方法及铜铟镓硒薄膜太阳能电池在审
| 申请号： | 201510760154.5 | 申请日： | 2015-11-10 |
| 公开（公告）号： | CN105405904A | 公开（公告）日： | 2016-03-16 |
| 发明（设计）人： | 夏申江;彭寿;屠友明;王芸 | 申请（专利权）人： | 中建材光电装备（太仓）有限公司;蚌埠兴科玻璃有限公司;蚌埠玻璃工业设计研究院 |
| 主分类号： | H01L31/032 | 分类号： | H01L31/032;H01L31/18 |
| 代理公司： | 苏州创元专利商标事务所有限公司 32103 | 代理人： | 马明渡;徐丹 |
| 地址： | 215434 江苏省苏*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 控制 铜铟镓 金属 预制 高温 过程 反应 方法 铜铟镓硒 薄膜 太阳能电池 | ||
1.一种控制铜铟镓金属预制层在高温硒化过程中钼和硒反应的方法，其特征在于：在以先磁控溅射沉积铜铟镓金属预制层后高温硒化来制备铜铟镓硒光吸收层的过程中，在磁控溅射沉积铜铟镓金属预制层之前，增加两步：第一步，先在背电极钼薄膜表面磁控溅射沉积一阻挡层；第二步，在所述阻挡层表面磁控溅射沉积硒化反应层；
所述铜铟镓金属预制层沉积于所述硒化反应层表面，并且在后续高温硒化生成铜铟镓硒光吸收层的过程中，所述阻挡层阻挡硒进入所述背电极钼薄膜层，所述硒化反应层同硒发生化学反应生成硒化物背接触层；
所述阻挡层的成分为过渡金属氮化物或过渡金属氮氧化物，所述硒化反应层的成分为过渡金属。
2.根据权利要求1所述控制铜铟镓金属预制层在高温硒化过程中钼和硒反应的方法，其特征在于：所述背电极钼薄膜层通过磁控溅射制备，背电极钼薄膜层的厚度为200-500nm。
3.根据权利要求1所述控制铜铟镓金属预制层在高温硒化过程中钼和硒反应的方法，其特征在于：所述阻挡层通过反应磁控溅射制备，阻挡层的厚度为10-50nm。
4.根据权利要求1所述控制铜铟镓金属预制层在高温硒化过程中钼和硒反应的方法，其特征在于：所述硒化反应层的厚度为20-100nm。
5.一种铜铟镓硒薄膜太阳能电池，包括衬底、背电极钼薄膜层以及铜铟镓硒光吸收层，其特征在于：所述背电极钼薄膜层和铜铟镓硒光吸收层之间增设有一阻挡层和一硒化物背接触层，所述阻挡层覆于背电极钼薄膜层之上，而所述硒化物背接触层覆于阻挡层之上；所述阻挡层的成分为过渡金属氮化物或过渡金属氮氧化物。
6.根据权利要求5所述铜铟镓硒薄膜太阳能电池，其特征在于：所述阻挡层通过反应磁控溅射制备，阻挡层的厚度为10-50nm。
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