[发明专利]一种绝缘栅双极晶体管及其制作方法

权利要求书

1.一种绝缘栅双极晶体管，其特征在于，包括至少一个元胞，所述元胞包括：

漂移区；

位于所述漂移区一表面上的基区；

位于所述基区背离所述漂移区一侧的第一常规沟槽、第二常规沟槽和辅助沟槽，所述辅助沟槽位于所述第一常规沟槽和第二常规沟槽之间，所述第一常规沟槽、第二常规沟槽和辅助沟槽均延伸至所述漂移区，所述第一常规沟槽内设置有第一常规栅层，所述第二常规沟槽内设置有第二常规栅层，所述辅助沟槽内设置有辅助栅层，且所述第一常规沟槽的内壁与所述第一常规栅层之间、所述第二常规沟槽的内壁所述第二常规栅层之间和所述辅助沟槽的内壁与所述辅助栅层之间均设置有一第一栅氧化层；

位于所述第一常规沟槽和第二常规沟槽之间、且位于所述辅助栅层背离所述漂移区一侧的发射极金属电极和辅助栅层引出电极，所述发射极金属电极延伸至所述基区，且所述发射极金属电极与所述辅助栅层之间设置有辅助栅氧化层；

以及，位于所述第一常规沟槽和发射极金属电极之间、且位于所述基区背离所述漂移区一侧的第一源极区，和位于所述第二常规沟槽和发射极金属电极之间、且位于所述基区背离所述漂移区一侧的第二源极区，所述辅助沟槽与所述第一源极区和第二源极区均无接触区域；

所述第一常规栅层、所述第二常规栅层、所述发射极金属电极、所述第一源极区以及所述第二源极区的上表面在同一平面上。

2.根据权利要求1所述的绝缘栅双极晶体管，其特征在于，所述绝缘栅双极晶体管还包括：

位于所述基区背离所述漂移区一侧、且位于所述第一常规沟槽背离所述辅助沟槽一侧的至少一个第一虚沟槽；

所述第一虚沟槽内设置有第一虚栅层；

所述第一虚沟槽的内壁与所述第一虚栅层之间设置有第二栅氧化层。

3.根据权利要求1所述的绝缘栅双极晶体管，其特征在于，所述绝缘栅双极晶体管还包括：

位于所述基区背离所述漂移区一侧、且位于所述第二常规沟槽背离所述辅助沟槽一侧的至少一个第二虚沟槽；

所述第二虚沟槽内设置有第二虚栅层；

所述第二虚沟槽的内壁与所述第二虚栅层之间设置有第三栅氧化层。

4.根据权利要求1所述的绝缘栅双极晶体管，其特征在于，所述绝缘栅双极晶体管还包括：

位于所述基区与所述漂移区之间的阱区。

5.根据权利要求1所述的绝缘栅双极晶体管，其特征在于，所述第一常规沟槽至所述辅助沟槽之间的距离和所述第二常规沟槽至所述辅助沟槽之间的距离相同。

6.根据权利要求1所述的绝缘栅双极晶体管，其特征在于，所述第一常规沟槽延伸至所述漂移区的深度、所述第二常规沟槽延伸至所述漂移区的深度和所述辅助沟槽延伸至所述漂移区的深度相同。

7.根据权利要求1所述的绝缘栅双极晶体管，其特征在于，所述第一常规沟槽的宽度、所述第二常规沟槽的宽度和所述辅助沟槽的宽度相同。

8.根据权利要求1所述的绝缘栅双极晶体管，其特征在于，所述第一常规栅层、第二常规栅层和辅助栅层均为多晶硅栅层。