[发明专利]具有多模腔结构的有机发光二极管显示器

说明书

具有多模腔结构的有机发光二极管显示器。一种有机发光二极管(OLED)显示器包括：基板，其被构造为具有在该基板中限定的发光区域和非发光区域；薄膜晶体管，其设置在该非发光区域中；第一存储电容器电极和第二存储电容器电极，该第一存储电容器电极和该第二存储电容器电极被构造为在发光区域中与在该第一存储电容器电极和该第二存储电容器电极之间插入的钝化层交叠；覆盖层，其被构造为覆盖薄膜晶体管和第二存储电容器电极；以及第一像素区域，其被构造为包括按与第二存储电容器电极交叠的方式顺序地堆叠在覆盖层上的第一阳极和绝缘层、以及设置在绝缘层上并且被构造为与薄膜晶体管和第一阳极接触的第二阳极。

技术领域

本发明涉及一种包括多模腔结构并且具有改进的光效率和色域(color gamut)的有机发光二极管(OLED)显示器。另外，本发明涉及一种通过使用透明导电材料形成存储电容器而具有改进的孔径比的OLED显示器。

背景技术

近来，正在开发能够减小重量和体积(即，阴极射线管的缺点)的各种类型的平板显示器。这些平板显示器包括液晶显示器(LCD)、场发射显示器(FED)、等离子体显示面板(PDP)和电致发光(EL)器件。

EL基本上被划分成无机EL和OLED器件，并且为自发射器件。EL具有响应速度快、发射效率和亮度高以及视角宽的优点。

图1是示出了已知的OLED的结构的图。如图1中所示，该OLED包括被构造为执行电致发光的有机电致发光化合物层以及被构造为彼此面对的阴极和阳极，有机电致发光化合物层被插入在阴极与阳极之间。有机电致发光化合物层包括空穴注入层(HIL)、空穴传输层(HTL)、发射层(EML)、电子传输层(ETL)和电子注入层(EIL)。

在这种OLED中，在被注入到阳极和阴极中的空穴和电子在EML中重新结合的激发过程中形成激子，并且OLED由于来自这些激子的能量而发出光。OLED显示器通过对从OLED的EML(诸如图1的EML)产生的光的量进行电控制来显示图像。

使用OLED的特性的有机发光二极管显示器(OLEDD)(即，电致发光器件)基本上被划分成无源矩阵型有机发光二极管(PMOLED)显示器和有源矩阵型有机发光二极管(AMOLED)显示器。

AMOLED显示器通过使用薄膜晶体管(在下文中被称为“TFT”)控制流入OLED中的电流来显示图像。

图2是示出了已知的OLED显示器中的单个像素的结构的等效电路图的示例。图3是示出了已知的OLED显示器中的单个像素的结构的平面图。图4是沿着图3的线I-I’截取的横截面图，并且示出了已知的OLED显示器的结构。

参照图2和图3，AMOLED显示器包括开关TFT ST、连接到开关TFT ST的驱动TFT DT以及被构造为与驱动TFT DT接触的OLED。

在扫描线SL和数据线DL交叉的部分处形成开关TFT ST。开关TFT ST用于选择像素。开关TFT ST包括从扫描线SL分支的栅极SG、半导体层SA、源极SS和漏极SD。此外，驱动TFT DT用于驱动由开关TFT ST选择的像素的OLED。驱动TFT DT包括与开关TFT ST的漏极SD连接的栅极DG、半导体层DA、与驱动电流线VDD连接的源极DS、以及漏极DD。驱动TFT DT的漏极DD连接到OLED的阳极ANO。

更具体地，参照图4，在AMOLED显示器的基板SUB上形成开关TFT ST和驱动TFT DT的栅极SG和DG。此外，在栅极SG和DG上覆盖有栅绝缘层GI。半导体层SA和DA形成在栅绝缘层GI的一部分上，与栅极SG和DG交叠。源极SS、DS和漏极SD、DD被形成为在半导体层SA和DA上以特定的间隔彼此面对。开关TFT ST的漏极SD通过栅绝缘层GI中形成的接触孔与驱动TFTDT的栅极DG接触。被构造为覆盖具有这种结构的开关TFT ST和驱动TFT DT的钝化层PAS涂覆在整个表面上。