[发明专利]制造半导体芯片的方法

说明书

本发明提供了一种制造半导体芯片的方法，所述方法包括步骤：形成位于衬底正面一侧的沟槽；以及利用旋转切割件从衬底背面一侧形成位于所述衬底背面一侧的与所述位于正面一侧的沟槽连通的沟槽并将所述衬底划片为多个半导体芯片，所述旋转切割件具有比所述位于正面一侧的沟槽的入口部分的宽度更厚的厚度，其中在具有不含顶面的锥形末端形状的所述切割件的顶部在沟槽宽度方向上的变化范围随着所述切割件的磨损而从被包括在所述位于正面一侧的沟槽中的范围变为离开所述位于正面一侧的沟槽的范围的制造条件下，在所述变化范围从被包括在所述位于正面一侧的沟槽中的范围变为离开所述位于正面一侧的沟槽的范围之前，停止使用所述切割件。

技术领域

本发明涉及一种制造半导体芯片的方法。

背景技术

已提出了一种划片方法，通过以下步骤，所述方法能够在不减少可从单个衬底获取的芯片的数量的情况下提高芯片的良率：利用第一刀片形成位于蓝宝石衬底的正面一侧的第一沟槽，然后利用第二刀片形成位于背面一侧的比第一沟槽更宽且更深的第二沟槽(JP-A-2003-124151)。还提出了一种增加可形成在晶圆上的半导体芯片的数量的方法，该方法利用激光照射而形成从晶圆的正面到其厚度中部的沟槽，然后利用刀片将晶圆从其背面切割到通过激光照射而形成的所述沟槽的位置(JP-A-2009-88252)。

发明内容

已知一种制造半导体芯片的方法，所述方法设有形成位于衬底的正面一侧的沟槽的步骤以及利用旋转切割件从衬底背面一侧形成位于所述衬底背面一侧的与所述位于正面一侧的沟槽连通的沟槽并将所述衬底划片为多个半导体芯片的步骤，所述旋转切割件具有比所述位于正面一侧的沟槽的入口部分的宽度更厚的厚度。通过这种制造方法，当使得形成在正面一侧和背面一侧且宽度为几微米至十几微米的细沟槽彼此连通时，在一些情况下，半导体芯片发生断裂，并且并不明确理解何种原因会导致何种断裂。因此并不知道应当使用何种制造条件以抑制断裂，从而使这种制造方法无法用于量产工艺。

因此，本发明旨在提供一种制造半导体芯片的方法，其能够抑制上述制造方法中半导体芯片的断裂。

本发明的第一方面指向一种制造半导体芯片的方法，所述方法包括步骤：形成位于衬底正面一侧的沟槽；以及利用旋转切割件从衬底背面一侧形成位于所述衬底背面一侧的与所述位于正面一侧的沟槽连通的沟槽并将所述衬底划片为多个半导体芯片，所述旋转切割件具有比所述位于正面一侧的沟槽的入口部分的宽度更厚的厚度，其中在具有不含顶面的锥形末端形状的所述切割件的顶部在沟槽宽度方向上的变化范围随着所述切割件的磨损而从被包括在所述位于正面一侧的沟槽中的范围变为离开所述位于正面一侧的沟槽的范围的制造条件下，在所述变化范围从被包括在所述位于正面一侧的沟槽中的范围变为离开所述位于正面一侧的沟槽的范围之前，停止使用所述切割件。

本发明的第二方面指向一种制造半导体芯片的方法，所述方法包括步骤：形成位于衬底正面一侧的沟槽；以及利用旋转切割件从衬底背面一侧形成位于所述衬底背面一侧的与所述位于正面一侧的沟槽连通的沟槽并将所述衬底划片为多个半导体芯片，所述旋转切割件具有比所述位于正面一侧的沟槽的入口部分的宽度更厚的厚度，其中在具有不含顶面的锥形末端形状的所述切割件的顶部在沟槽宽度方向上的变化范围随着所述切割件的磨损而从被包括在所述位于正面一侧的沟槽中的范围变为离开所述位于正面一侧的沟槽的范围的制造条件下，在所述切割件的末端形状形成为使得最大应力施加在所述顶部的区域且使得所述位于正面一侧的沟槽的外围由所述切割件的磨损而导致断裂的锥形形状之前，停止使用所述切割件。