[发明专利]基于场效应晶体管的太赫兹波探测器在审
申请号: | 201510764948.9 | 申请日: | 2015-11-10 |
公开(公告)号: | CN105333951A | 公开(公告)日: | 2016-02-17 |
发明(设计)人: | 刘朝阳;刘力源;吴南健 | 申请(专利权)人: | 中国科学院半导体研究所 |
主分类号: | G01J1/42 | 分类号: | G01J1/42;H01L31/08;H01L31/112 |
代理公司: | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人: | 宋焰琴 |
地址: | 100083 *** | 国省代码: | 北京;11 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 基于 场效应 晶体管 赫兹 探测器 | ||
1.一种基于场效应晶体管的太赫兹波探测器,其特征在于,包括:
天线,用于接收太赫兹波信号;
场效应晶体管,所述场效应晶体管的源极用于输入所述天线接收到的太赫兹波信号,且在所述天线与所述场效应晶体管的源极之间设置有一匹配网络;在所述场效应晶体管的栅极上加载有一固定直流偏置电压,且所述场效应晶体管的栅极连接有一开路四分之一波长匹配变换器;所述场效应晶体管的漏极用于输出信号。
2.根据权利要求1所述的基于场效应晶体管的太赫兹波探测器,其特征在于,所述天线为接地贴片天线。
3.根据权利要求2所述的基于场效应晶体管的太赫兹波探测器,其特征在于,所述接地贴片天线在贴片天线中心处与接地金属平面通过一通孔进行短路。
4.根据权利要求1所述的基于场效应晶体管的太赫兹波探测器,其特征在于,所述场效应晶体管为金属-氧化物-半导体场效应晶体管或结型场效应晶体管。
5.根据权利要求1所述的基于场效应晶体管的太赫兹波探测器,其特征在于,所述匹配网络为单个传输线段、并联短截线、串联短截线或双短截线中的一种。
6.根据权利要求1所述的基于场效应晶体管的太赫兹波探测器,其特征在于,所述开路四分之一波长匹配变换器中所述的波长为待测太赫兹波在所用的开路四分之一波长匹配变换器介质中的波长。
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