[发明专利]一种抗冲击能力强的半导体光源封装结构在审
申请号: | 201510764962.9 | 申请日: | 2015-11-11 |
公开(公告)号: | CN105281197A | 公开(公告)日: | 2016-01-27 |
发明(设计)人: | 郭洪;张靖;熊煜 | 申请(专利权)人: | 中国电子科技集团公司第四十四研究所 |
主分类号: | H01S5/022 | 分类号: | H01S5/022 |
代理公司: | 重庆信航知识产权代理有限公司 50218 | 代理人: | 江涛 |
地址: | 400060 *** | 国省代码: | 重庆;85 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 冲击 能力强 半导体 光源 封装 结构 | ||
技术领域
本发明属于半导体光源领域,具体涉及一种抗冲击能力强的半导体光源封装结构,主要应用在光纤传感、光纤陀螺导航、光纤激光等诸多方面。
背景技术
随着半导体光源技术的发展,其应用范围逐步扩大,应用领域已越来越多,在一些环境条件要求较高的应用领域,对半导体光源的环境适应性提出了较高的要求。例如,在一些振动较强的环境下如航天、钻探等应用,需要半导体光源具有极高的抗冲击能力。目前,半导体光源模块内部通常集成有半导体致冷器,芯片发出的光通过金属化光纤耦合输出。
但是,本发明的发明人经过研究发现,在强振动条件下,半导体致冷器冷面与晶粒之间容易被破坏,造成半导体致冷器损坏,并且金属化光纤耦合模块容易产生位移,从而造成半导体光源模块性能下降或失效。
发明内容
针对现有技术存在的在强振动条件下,半导体光源模块内部的半导体致冷器冷面与晶粒之间容易被破坏,造成半导体致冷器损坏,并且金属化光纤耦合模块容易产生位移,从而造成半导体光源模块性能下降或失效的技术问题,本发明提供一种抗冲击能力强的半导体光源封装结构,其抗冲击能力强的特性可使之应用于石油勘探、机载、车载等环境下的传感和导航。
为了实现上述目的,本发明采用如下技术方案:
一种抗冲击能力强的半导体光源封装结构,包括待耦合半导体光源模块和金属化光纤耦合模块;其中,
所述待耦合半导体光源模块包括设有腔体的金属管壳,以及顺序焊接固定于所述金属管壳腔体内的半导体致冷器、过渡热沉、AlN热沉和光源芯片,且在半导体致冷器冷面和金属管壳之间固设有缓冲固定片;
所述金属化光纤耦合模块包括金属化光纤和基本呈Ω型的光纤支架,所述金属化光纤焊接固定在光纤支架上,所述光纤支架焊接固定在所述过渡热沉上,所述金属化光纤与光源芯片耦合对准。
本发明提供的抗冲击能力强的半导体光源封装结构中,在半导体致冷器冷面和金属管壳之间设有缓冲固定片,可用于保护半导体致冷器在强冲击下不受损伤,提高了模块抗冲击能力;同时,采用基本呈Ω型的光纤支架来耦合固定金属化光纤,由此可以提高金属化光纤耦合固定后的稳定性,保证在强冲击条件下光纤不产生位移。因此,本发明通过对半导体光源模块内部结构加固后,其能承受的冲击量级由500g提高到1500g,大大拓展了半导体光源模块的应用范围。
进一步,所述半导体致冷器、过渡热沉、AlN热沉和光源芯片通过分级钎焊工艺焊接固定。
进一步,所述金属管壳的内壁设有焊接固定座,所述半导体致冷器冷面上设有焊接固定块,所述缓冲固定片的两端固定在焊接固定座和焊接固定块上。
进一步,所述缓冲固定片通过激光点焊工艺焊接在焊接固定座和焊接固定块上。
进一步,所述缓冲固定片的材料为SUS304。
进一步,所述缓冲固定片的厚度为0.2-0.5毫米。
进一步,所述光纤支架包括相对配置的第一激光焊接部和第二激光焊接部,所述第一激光焊接部连接有至少一个第一支持部,所述第二激光焊接部连接有至少一个第二支持部,且所述第一支持部和第一激光焊接部之间以及所述第二支持部和第一激光焊接部之间垂直配置,一个第一支持部和一个第二支持部形成一组支持部,每组所述支持部连接有倒U型光纤固定部。
进一步,所述第一激光焊接部连接有两个第一支持部,所述第二激光焊接部连接有两个第二支持部。
进一步,所述光纤支架的材料为N6。
进一步,所述金属管壳上设有适于所述金属化光纤穿出的光纤输出口,所述光纤输出口中配置有光纤套,所述金属化光纤与光源芯片耦合对准的另一端穿过该光纤套,并采用PbSn焊料焊接填充。
附图说明
图1是本发明提供的待耦合半导体光源模块立体结构示意图。
图2是本发明提供的待耦合半导体光源模块剖面结构示意图。
图3是图1中缓冲固定片的结构示意图。
图4A是本发明提供的一种双Ω型光纤支架主视结构示意图。
图4B是本发明提供的一种双Ω型光纤支架侧视结构示意图。
图4C是本发明提供的一种双Ω型光纤支架俯视结构示意图。
图5是本发明提供的待耦合半导体光源模块与金属化光纤耦合模块的耦合结构示意图。
图6是本发明提供的抗冲击能力强的半导体光源封装结构示意图。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于中国电子科技集团公司第四十四研究所,未经中国电子科技集团公司第四十四研究所许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201510764962.9/2.html,转载请声明来源钻瓜专利网。