[发明专利]延迟荧光化合物和使用该化合物的有机发光二极管和显示装置在审
| 申请号： | 201510765137.0 | 申请日： | 2015-11-11 |
| 公开（公告）号： | CN105585577A | 公开（公告）日： | 2016-05-18 |
| 发明（设计）人： | 梁仲焕;尹炅辰;鲁效珍;尹大伟;申仁爱;金捘演 | 申请（专利权）人： | 乐金显示有限公司 |
| 主分类号： | C07D495/04 | 分类号： | C07D495/04;C07D401/04;C07D401/14;C07D409/04;C07D219/02;C07D401/12;C07D409/14;C07D401/10;C07D471/04;C07D409/10;C09K11/06;H01L51/54 |
| 代理公司： | 北京三友知识产权代理有限公司 11127 | 代理人： | 庞东成;武胐 |
| 地址： | 韩国*** | 国省代码： | 韩国;KR |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 延迟 荧光 化合物 使用 有机 发光二极管 显示装置 | ||
1.一种式1或式2的延迟荧光化合物：
其中，m和n各自是1或0，并且X1选自式3，其中L1和L2各自独立地选自式 4，并且X2和Y分别选自式5和式6：
其中，式3中的R1至R4各自独立地选自具有取代基或不具有取代基的芳基，并 且式4中的R5和R6各自独立地选自氢或C1至C10烷基，并且其中，式5中的R7选自氢或苯基。
2.如权利要求1所述的延迟荧光化合物，其中，所述延迟荧光化合物的单重态 能量与所述延迟荧光化合物的三重态能量之差小于0.3eV。
3.一种有机发光二极管，其包含：
第一电极；
与所述第一电极相对的第二电极；和
位于所述第一电极和所述第二电极之间的有机发光层，所述有机发光层包含式1 或式2的延迟荧光化合物：
其中，m和n各自是1或0，并且X1选自式3，其中L1和L2各自独立地选自式 4，并且X2和Y分别选自式5和式6：
其中，式3中的R1至R4各自独立地选自具有取代基或不具有取代基的芳基，并 且式4中的R5和R6各自独立地选自氢或C1至C10烷基，并且其中，式5中的R7选自氢或苯基。
4.如权利要求3所述的有机发光二极管，其中，所述延迟荧光化合物的单重态 能量与所述延迟荧光化合物的三重态能量之差小于0.3eV。
5.如权利要求3所述的有机发光二极管，其中，所述有机发光层还包含主体， 并且所述延迟荧光化合物用作掺杂剂。
6.如权利要求5所述的有机发光二极管，其中，所述主体的最高占有分子轨道 (HOMO)与所述掺杂剂的HOMO之差或所述主体的最低未占分子轨道(LUMO)与所 述掺杂剂的LUMO之差小于0.5eV。
7.如权利要求3所述的有机发光二极管，其中，所述有机发光层还包含掺杂剂， 并且所述延迟荧光化合物用作主体。
8.如权利要求3所述的有机发光二极管，其中，所述有机发光层还包含主体和 第一掺杂剂，并且所述延迟荧光化合物用作第二掺杂剂，并且
其中，所述第二掺杂剂的三重态能量小于所述主体的三重态能量并大于所述第一 掺杂剂的三重态能量。
9.如权利要求3所述的有机发光二极管，其中，所述有机发光层包含空穴注入 层(HIL)、空穴输送层(HTL)、发光材料层(EML)、电子输送层(ETL)和电子注入层(EIL)， 并且
其中，选自由所述HIL、所述HTL、所述EML、所述ETL和所述EIL组成的组 的至少一个包含所述延迟荧光化合物。
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