[发明专利]电子器件及其制造方法

权利要求书

1.一种电子器件，包括：

第一电极；

第二电极，与所述第一电极间隔开；

二维材料层，连接到所述第一电极和所述第二电极，所述二维材料层包括在所述第一电极和所述第二电极之间呈现半导体特性的多个二维纳米材料，所述二维纳米材料中的至少一些彼此无序地交叠，

其中所述多个二维纳米材料的每个包括过渡金属二硫属化物、磷烯、锗烯和硅烯中的至少一种，

其中所述二维材料层通过喷射包括溶剂和所述二维纳米材料的墨水来形成墨水图案以及干燥所述墨水图案而形成。

2.如权利要求1所述的电子器件，其中所述二维材料层还包括导电材料。

3.如权利要求2所述的电子器件，其中所述导电材料包括石墨烯、导电颗粒、导电纳米管和导电纳米线中的至少一个。

4.如权利要求1所述的电子器件，其中所述二维材料层还包括掺杂剂。

5.如权利要求1所述的电子器件，其中所述二维纳米材料掺杂有杂质。

6.如权利要求1所述的电子器件，其中所述二维材料层是所述电子器件的沟道层。

7.如权利要求6所述的电子器件，还包括：

栅绝缘层，在所述二维材料层上；和

栅电极，在所述栅绝缘层上。

8.如权利要求6所述的电子器件，还包括：

栅电极，在基板上；

栅绝缘层，在所述栅电极上，所述二维材料层在所述栅绝缘层上。

9.如权利要求1所述的电子器件，其中肖特基结形成在所述第一电极和所述第二电极中的至少一个与所述二维材料层之间。

10.如权利要求1所述的电子器件，其中p-n结形成在所述二维材料层的第一导电类型材料层与第二导电类型材料层之间。

11.如权利要求1所述的电子器件，其中所述多个二维纳米材料的每个包括至少一层。

12.一种制造电子器件的方法，该方法包括：

通过喷墨印刷在基板上形成二维材料层，所述二维材料层包括在第一电极和第二电极之间呈现半导体特性的多个二维纳米材料，所述多个二维纳米材料中的至少一些彼此无序地交叠；和

形成连接到所述二维材料层的第一电极和第二电极，

其中所述多个二维纳米材料包括过渡金属二硫属化物、磷烯、锗烯和硅烯中的至少一种，以及

其中形成所述二维材料层包括：

通过喷射墨水到所述基板上而形成墨水图案，所述墨水包括溶剂和所述二维纳米材料；和

干燥所述墨水图案。

13.如权利要求12所述的方法，其中所述墨水中的所述二维纳米材料与所述溶剂的混合比率在从1μg/mL至100mg/mL的范围。

14.如权利要求12所述的方法，其中所述墨水还包括导电材料。

15.如权利要求12所述的方法，其中所述墨水还包括掺杂剂。

16.如权利要求12所述的方法，其中所述二维纳米材料掺杂有杂质。

17.如权利要求12所述的方法，其中所述第一电极和所述第二电极通过喷墨印刷而形成。

18.如权利要求12所述的方法，还包括：

在所述二维材料层上形成栅绝缘层；和

在所述栅绝缘层上形成栅电极。

19.如权利要求18所述的方法，其中所述栅绝缘层和所述栅电极通过喷墨印刷而形成。