[发明专利]使用自组装图案形成存储电容器结构的方法

权利要求书

1.一种形成电容器结构的方法，包括：

提供具有形成在绝缘保持材料内的多个电容器电极的衬底，所述衬底还包括与所述多个电容器电极接触的项圈层；

通过在含小于50ppm的氧气的气氛中对自组装聚合物层进行退火而在所述项圈层上制备所述自组装聚合物层，所述自组装聚合物层具有与第二域呈相分离的第一域；

选择性地去除所述自组装聚合物层的所述第一域，同时保留所述自组装聚合物层的所述第二域，以在所述衬底上形成无引导、随机的自组装图案；以及

将所述无引导、随机的自组装图案转移至所述项圈层中并且贯穿所述项圈层，以生成与所述多个电容器电极互连的项圈层结构，所述项圈层结构具有穿过所述项圈层结构的使下面的绝缘保持材料露出的开口。

2.根据权利要求1所述的方法，还包括：

通过在所述项圈层结构中的所述开口去除所述绝缘保持材料的至少一部分。

3.根据权利要求2所述的方法，还包括：

在所述多个电容器电极之上形成电容器介电层；以及

在所述电容器介电层之上形成至少一个第二电容器电极。

4.根据权利要求1所述的方法，其中所述多个电容器电极中的至少一个电容器电极具有通过直径和高度表征的圆柱形状。

5.根据权利要求4所述的方法，其中所述至少一个电容器电极的根据高度与直径的比所测量的纵横比超过5比1。

6.根据权利要求1所述的方法，其中所述多个电容器电极中的至少一个电容器电极由TiN构成。

7.根据权利要求1所述的方法，其中所述多个电容器电极中的至少一个电容器电极是具有外侧壁和底部的圆柱形状壳体，所述圆柱形状壳体通过直径和高度表征。

8.根据权利要求1所述的方法，所述绝缘保持材料是均质的或非均质的。

9.根据权利要求1所述的方法，其中所述绝缘保持材料是氧化硅或多晶硅。

10.根据权利要求9所述的方法，其中所述项圈层是氮化硅。

11.根据权利要求1所述的方法，其中所述自组装聚合物的所述第一域是聚(甲基丙烯酸甲酯)，所述自组装聚合物的所述第二域是聚苯乙烯。

12.根据权利要求1所述的方法，其中所述衬底还包括设置在所述项圈层与所述自组装聚合物层之间的一个或更多个中间层。

13.一种电容器结构，包括：

衬底，所述衬底具有形成在绝缘保持材料内的多个电容器电极以及包括项圈层的项圈层结构以及包括不同于所述项圈层的材料的绝缘填充材料层，所述项圈层结构与所述多个电容器电极接触，

其中所述项圈层结构与所述多个电容器电极互连，并且通过具有无引导、随机的自组装图案的开口使下面的绝缘保持材料露出。

14.根据权利要求13所述的电容器结构，其中所述多个电容器电极中的至少一个电容器电极具有通过直径和高度表征的圆柱形状。

15.根据权利要求14所述的电容器结构，其中所述至少一个电容器电极的根据高度与直径的比所测量的纵横比超过5比1。

16.根据权利要求13所述的电容器结构，其中所述多个电容器电极中的至少一个电容器电极由TiN构成。

17.根据权利要求13所述的电容器结构，其中所述绝缘保持材料是均质的或非均质的。

18.根据权利要求13所述的电容器结构，其中所述绝缘保持材料是氧化硅或多晶硅。