[发明专利]太阳能电池及其制备方法

权利要求书

1.太阳能电池，自下而上依次包括：基板、键合金属层、欧姆接触电极层、应力阻隔层、太阳能电池半导体层和欧姆电极，其特征在于：所述应力阻隔层设置在所述太阳能电池半导体层与欧姆接触电极层之间，防止因欧姆接触电极层及键合金属层与半导体层之间热膨胀系数的差异产生的热应力使半导体层的晶体质量变差。

2.根据权利要求1所述的太阳能电池，其特征在于：所述应力阻隔层的热膨胀系数与所述太阳能电池半导体层热膨胀系数相近或者略小。

3.根据权利要求2所述的太阳能电池，其特征在于：所述应力阻隔层由热膨胀系数与太阳能电池半导体层热膨胀系数相近的金属薄膜材料构成。

4.根据权利要求2所述的太阳能电池，其特征在于：所述应力阻隔层由热膨胀系数比太阳能电池半导体材料热膨胀系数略小的介质薄膜材料构成。

5.根据权利要求2所述的太阳能电池，其特征在于：所述应力阻隔层被配置成为具有多个孔洞区域的薄膜。

6.根据权利要求5所述的太阳能电池，其特征在于：所述应力阻隔层的孔洞区域所占整个应力阻隔层面积的比例依所选应力阻隔层材料和太阳能电池半导体材料两者的热膨胀系数比例而定。

7.根据权利要求5所述的太阳能电池，其特征在于：所述欧姆接触电极层与所述太阳能电池半导体层的接触界面是不连续的，所述欧姆接触电极层材料部分填充到所述应力阻隔层的孔洞区域之中。

8.根据权利要求6所述的太阳能电池，其特征在于：设定所述太阳能电池半导体层的热膨胀系数为T₁，所述应力阻隔层的热膨胀系数为T₂，所述欧姆接触电极层的热膨胀系数为T₃，所述应力阻隔层的孔洞所占面积比例为X，则满足：T₃*X+T₂(1-X)=T₁。

9.根据权利要求2所述的太阳能电池，其特征在于：所述太阳能电池半导体层为倒装多结电池结构。

10.太阳能电池的制备方法，包括下面步骤：在一基板上形成键合金属层、欧姆接触电极层，在该欧姆接触电极层上形成太阳能电池半导体层，在该太阳能电池半导体层的表面上制作欧姆电极，其特征在于：还包括在所述太阳能电池半导体层与欧姆接触电极层之间设置应力阻隔层，防止因欧姆接触电极层及键合金属层与半导体层之间热膨胀系数的差异产生的热应力使半导体层的晶体质量变差。

11.根据权利要求10所述的太阳能电池的制备方法，其特征在于：采用光刻与蒸镀相结合或者PECVD与光刻相结合的方法在所述太阳能电池半导体层上制备具有多个孔洞的薄膜材料，形成所述应力阻隔层。

12.根据权利要求10所述的太阳能电池的制备方法，其特征在于：所述应力阻隔层选用热膨胀系数与太阳能电池半导体层热膨胀系数相近或者略小的材料。