[发明专利]基于GMI效应的脑磁信号探头、传感器及采集系统有效
申请号: | 201510770093.0 | 申请日: | 2015-11-11 |
公开(公告)号: | CN105455806B | 公开(公告)日: | 2019-03-29 |
发明(设计)人: | 徐明;周宗潭;徐晓红;王志华 | 申请(专利权)人: | 中国人民解放军国防科学技术大学 |
主分类号: | A61B5/0478 | 分类号: | A61B5/0478 |
代理公司: | 湖南兆弘专利事务所(普通合伙) 43008 | 代理人: | 赵洪;谭武艺 |
地址: | 410073 湖南省长沙市砚瓦池正街47*** | 国省代码: | 湖南;43 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 基于 gmi 效应 信号 探头 传感器 采集 系统 | ||
1.一种基于GMI效应的脑磁信号探头,其特征在于:包括布置在同一个平面上且呈直条状的至少三组非晶丝(11),每一组非晶丝(11)包括至少一根非晶丝(11),任意相邻两组非晶丝(11)之间形成夹角,每一组非晶丝(11)上套设有拾取线圈(12)。
2.根据权利要求1所述的基于GMI效应的脑磁信号探头,其特征在于:任意相邻两组非晶丝(11)之间形成60°夹角,使三组非晶丝(11)排列呈正三角形状。
3.根据权利要求2所述的基于GMI效应的脑磁信号探头,其特征在于:至少一组非晶丝(11)上套设有反馈线圈(13)。
4.根据权利要求3所述的基于GMI效应的脑磁信号探头,其特征在于:至少一组非晶丝(11)上套设有校零线圈(14)。
5.根据权利要求4所述的基于GMI效应的脑磁信号探头,其特征在于:所述反馈线圈(13)和拾取线圈(12)层叠布置,且所述反馈线圈(13)绕设于拾取线圈(12)外侧;所述校零线圈(14)和拾取线圈(12)层叠布置,且所述校零线圈(14)绕设于拾取线圈(12)外侧。
6.根据权利要求5所述的基于GMI效应的脑磁信号探头,其特征在于:所述反馈线圈(13)的匝数为拾取线圈(12)的0.1~5倍,所述校零线圈(14)的匝数为拾取线圈(12)的0.2~1倍,所述拾取线圈(12)的内径L取值为一组非晶丝(11)直径的5~20倍。
7.一种基于GMI效应的脑磁信号传感器,包括传感器外围电路(2)和至少一个脑磁信号探头(1),所述脑磁信号探头(1)的输出端和传感器外围电路(2)相连,其特征在于:所述脑磁信号探头(1)为权利要求1~6中任意一项所述基于GMI效应的脑磁信号探头。
8.根据权利要求7所述的基于GMI效应的脑磁信号传感器,其特征在于:所述传感器外围电路(2)包括脉冲发生器(21)、限流电阻(22)、差分放大电路(23)和两个检测单元(24),所述脉冲发生器(21)的输出端通过各组非晶丝(11)、限流电阻(22)接地,所述脑磁信号探头(1)的各组非晶丝(11)之间相互并联或者串联,所述检测单元(24)包括模拟开关(241)、充电电容(242)和低通滤波器(243),两个检测单元(24)的模拟开关(241)分别一端通过一个拾取线圈(12)接地、另一端通过充电电容(242)后接地,所述低通滤波器(243)的输入端连接于模拟开关(241)、充电电容(242)之间,两个检测单元(24)的低通滤波器(243)输出端分别与差分放大电路(23)的输入端相连。
9.根据权利要求8所述的基于GMI效应的脑磁信号传感器,其特征在于:所述传感器外围电路(2)还包括反馈与偏置电路(25),所述反馈与偏置电路(25)包括加法器(251)、V/I转换器(253)、偏置电压源(254)和电位器(255),所述加法器(251)的输入端分别与第一低通滤波器(243)、第二低通滤波器(243)的输出端相连,所述加法器(251)的输出端依次通过V/I转换器(253)、反馈线圈(13)接地,所述偏置电压源(254)的输出端通过电位器(255)、校零线圈(14)接地。
10.一种基于GMI效应的脑磁信号采集系统,包括脑磁信号接收模块(3)、信号采集器(4)和脑磁检测探头帽(5),其特征在于:所述脑磁检测探头帽(5)上设有权利要求7~9中任意一项所述基于GMI效应的脑磁信号传感器(51),所述脑磁信号传感器(51)的输出端通过信号采集器(4)和脑磁信号接收模块(3)相连。
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