[发明专利]薄膜倒装LED芯片及其制备方法以及白光LED芯片

权利要求书

1.一种薄膜倒装LED芯片的制备方法，其特征在于，所述制备方法包括以下步骤：

生长衬底上依次生长缓冲层、N型GaN层、多量子阱层、P型GaN层和金属反射层形成第一结构；

对所述第一结构进行蚀刻直至暴露出N型GaN层形成多个均匀分布的第一沟槽；且在每两个第一沟槽中蚀刻出多个N电极孔，形成第二结构；

分别对所述N电极孔的侧壁和所述第一沟槽进行钝化、对所述第二结构中每两个N电极孔之间的金属反射层进行钝化以及对第一沟槽和N电极孔之间的金属反射层除预留的第一位置进行钝化形成钝化层，实现对第二结构的钝化；

在进行了钝化之后的N电极孔内沉积金属形成N电极金属层，并将相邻两个所述第一沟槽之间的N电极孔内的金属连接起来形成N电极；在金属反射层上的所述第一位置上形成P电极，且相邻的N电极和P电极之间预留第二位置，形成倒装晶片结构；

在导电基板上形成与每个所述P电极和每个所述N电极的中心位置对应的通孔，且在所述导电基板的上表面、下表面以及所述通孔的侧壁上生长绝缘层；

在所述导电基板中的所述通孔内镀上导电金属直至将通孔填满；

在所述导电基板的上表面镀上分别与所述倒装晶片结构中的所述P电极和所述N电极对应的邦定金属层，形成第二沟槽；在所述导电基板的下表面镀上与所述倒装晶片结构中的所述P电极和所述N电极对应的背金金属层，形成第三沟槽；

在所述第二沟槽内填充满隔离层，且所述隔离层比所述邦定金属层厚；

将所述导电基板的下表面对准所述倒装晶片结构中的P电极和N电极进行邦定，并去除生长衬底和缓冲层，暴露出N型GaN层形成LED晶片；

沿着第一沟槽对所述LED晶片结构进行切割，形成单个LED芯片。

2.根据权利要求1所述的一种晶圆级薄膜倒装LED芯片的制备方法，其特征在于，所述金属反射层的材料为下列中的一种：Ag、Al、Ni、Ni-Ag合金、Al-Ni合金、Ag-Ni-Al合金。

3.根据权利要求1所述的一种薄膜倒装LED芯片的制备方法，其特征在于，所述钝化层和绝缘层的材料为下列中的一种或多种：SiO2、SiN、Al2O3。

4.根据权利要求1所述的一种薄膜倒装LED芯片的制备方法，其特征在于，所述邦定金属层材料为下列中的一种或多种Au、Sn、Au-Sn合金、Ag-Sn合金、Ni-Sn合金、Al-Ge合金。

5.根据权利要求1所述的一种薄膜倒装LED芯片的制备方法，其特征在于，所述导电基板的材料为下列中的一种：硅、锗、CU-W合金、Mo、Cr。

6.根据权利要求1所述的一种薄膜倒装LED芯片的制备方法，其特征在，所述隔离层的材料为下列中的一种或多种：硅胶、环氧树脂、塑料。

7.根据权利要求1所述的一种薄膜倒装LED芯片的制备方法，其特征在，所述导电金属的材料为下列中的一种或多种：Cr、CU、Pt、Au、Al、Ni。

8.根据权利要求1所述的一种薄膜倒装LED芯片的制备方法，其特征在，所述背金金属层的材料为下列中的一种或多种：Cr、CU、Pt、Au、Al、Ni、AU-SN合金、Ag-Sn合金、Ni-Sn合金。

9.根据权利要求1所述的一种薄膜倒装LED芯片的制备方法，其特征在于，在沿着第一沟槽对晶片进行切割，形成单个LED芯片之前，还包括以下步骤：

所述制备方法还包括对N型GaN层进行表面粗化处理。

10.一种薄膜倒装LED芯片，其特征在于，所述薄膜倒装LED芯片采用如权利要求1-9任意一项所述的薄膜倒装LED芯片的制备方法制备得来。

11.一种LED白光芯片，其特征在于：所述LED白光芯片中包括如权利要求10所述的薄膜倒装LED芯片，还包括荧光膜片，所述荧光膜片置于所述薄膜倒装LED芯片中的N型GaN层表面。