[发明专利]一种纳米陶瓷内部三维微细通道的加工方法

权利要求书

1.一种纳米陶瓷内部三维微细通道的加工方法，其特征在于纳米陶瓷内部三维微细通道的加工方法是按以下步骤进行的：

一、制备纳米陶瓷坯体结构：采用金属钢制模具将纳米陶瓷粉末通过液压机在压力为100MPa～150MPa的条件下保压5s～10s，顶出脱模，得到纳米陶瓷坯体结构；

二、纳米陶瓷坯体结构表面抛光：将步骤一得到的纳米陶瓷坯体结构在抛光机转速为30转/分钟～80转/分钟和抛光介质为绒布的条件下抛光30min，然后置于数控雕刻机上进行三维加工，得到微细通道三维结构坯体；

三、纳米陶瓷坯体结构烘干处理：将步骤二得到的微细通道三维结构坯体放置在马弗炉中，在温度为40℃～80℃的条件下保温5h～10h，得到脱水的纳米陶瓷坯体I；

四、蚀刻制作掩模板：通过蚀刻技术将硅片制备成掩模板，使得掩模板上布置微细通道；

五、喷涂：将步骤四制备的掩模板覆盖于步骤三制备的脱水的纳米陶瓷坯体I的抛光面上，然后通过喷涂机在脱水的纳米陶瓷坯体I的抛光面上覆盖的掩模板面上喷涂有机微米线或有机纳米线，得到喷涂有机微米线或有机纳米线的喷涂面；

六、真空塑封：重复步骤一至三制备一个脱水的纳米陶瓷坯体II，将脱水的纳米陶瓷坯体II覆盖在步骤五得到的喷涂有机微米线或有机纳米线的喷涂面上，然后放置于塑料密封袋内，在真空塑封机内进行真空塑封，得到塑封后的坯体；

七、冷等静压：将步骤六得到的塑封后的坯体置于冷等静压机内，在压力为150MPa～300MPa的条件下压制3mim～5min；

八、脱脂处理：将步骤七冷等静压后的坯体放置在马弗炉中，以0.5℃/min～1.5℃/min的升温速率从室温升温至300℃，然后以1.5℃/min～3℃/min的升温速率从300℃升温至550℃，然后以3℃/min～5℃/min的升温速率从550℃升温至900℃，然后在温度为900℃的条件下保温1h～2h，得到脱脂后的胚体；

九、烧结强化：将步骤八得到的脱脂后的胚体放置在高温烧结炉中进行真空烧结或保护气氛烧结，得到致密的纳米陶瓷微细通道制品；所述的真空烧结温度为1400℃～1600℃，真空烧结时间为2h～3h；所述的保护气氛烧结温度为1400℃～1600℃，保护气氛烧结时间为2h～3h。

2.根据权利要求1所述的一种纳米陶瓷内部三维微细通道的加工方法，其特征在于步骤一中所述的纳米陶瓷粉末为氧化铝、氧化锆和氧化钛中的一种或几种的混合物。

3.根据权利要求1所述的一种纳米陶瓷内部三维微细通道的加工方法，其特征在于步骤五中所述的有机微米线熔点为50℃～200℃，分解温度低于500℃；步骤五中所述的有机纳米线熔点为50℃～200℃，分解温度低于500℃。

4.根据权利要求1所述的一种纳米陶瓷内部三维微细通道的加工方法，其特征在于步骤九中所述的真空烧结是在真空度为1×10^-1Pa～1×10^-3Pa和真空烧结温度为1400℃～1600℃的条件下烧结2h～3h。

5.根据权利要求1所述的一种纳米陶瓷内部三维微细通道的加工方法，其特征在于步骤九中所述的保护气氛烧结是在氮气气氛和烧结温度为1400℃～1600℃的条件下烧结2h～3h。

6.根据权利要求3所述的一种纳米陶瓷内部三维微细通道的加工方法，其特征在于步骤五中所述的有机微米线和有机纳米线为石蜡、聚丙烯和聚乙烯中的一种或几种的混合物。