[发明专利]一种高线性低噪声跨导放大器

权利要求书

1.一种高线性低噪声跨导放大器，其特征在于，包括：第一输入端、第二输入端、第一部分电路以及第二部分电路；所述第一输入端与第一部分电路相连，所述第二输入端与第二部分电路相连，且所述第一部分电路与第二部分电路呈镜像对称结构；

所述第一部分电路包括：第一互补共源级、第二互补共源级、第一反馈级以及第一负载级；所述第一互补共源级的输入端与第一输入端相连，所述第一互补共源级的输出端与第一反馈级的输入端相连，所述第一反馈级的输出端与第一输入端相连，所述第二互补共源级的输入端与第一输入端相连，所述第二互补共源级的输出端与第一互补共源级的输出端相连，所述第二互补共源级的输出端与第一负载级相连；

所述第二部分电路包括：第三互补共源级、第四互补共源级、第二反馈级以及第二负载级；所述第三互补共源级的输入端与第二输入端相连，所述第三互补共源级的输出端与第二反馈级的输入端相连，所述第二反馈级的输出端与第二输入端相连，所述第四互补共源级的输入端与第二输入端相连，所述第四互补共源级的输出端与第三互补共源级的输出端相连，所述第四互补共源级的输出端与第二负载级相连。

2.根据权利要求1所述的一种高线性低噪声跨导放大器，其特征在于，所述第一部分电路具体为：

所述第一互补共源级包括：NMOS晶体管M_n1、PMOS晶体管M_p1、隔直电容器C₁、隔直电容器C₂、偏置电阻器R₁以及偏置电阻器R₂；隔直电容器C₁的第一端与隔直电容器C₂的第一端相连，且隔直电容器C₁和隔直电容器C₂的第一端共同作为第一互补共源级的输入端；隔直电容器C₁的第二端与NMOS晶体管M_n1的栅极相连，隔直电容器C₂的第二端与PMOS晶体管M_p1的栅极相连；偏置电阻器R₁的第一端与NMOS晶体管M_n1的栅极相连，偏置电阻器R₁的第二端连接偏置电压V_bn1；偏置电阻器R₂的第一端与PMOS晶体管M_p1的栅极相连，偏置电阻器R₂的第二端连接偏置电压V_bp1；NMOS晶体管M_n1的源极接地，PMOS晶体管M_p1的源极连接电源V_DD；NMOS晶体管M_n1的漏极和PMOS晶体管M_p1的漏极相连，共同作为第一互补共源级的输出端；

所述第二互补共源级包括：NMOS晶体管M_n2、PMOS晶体管M_p2、隔直电容器C₃、隔直电容器C₄、偏置电阻器R₃以及偏置电阻器R₄；隔直电容器C₃的第一端与隔直电容器C₄的第一端相连，且隔直电容器C₃和隔直电容器C₄的第一端共同作为第二互补共源级的输入端；隔直电容器C₃的第二端与NMOS晶体管M_n2的栅极相连，隔直电容器C₄的第二端与PMOS晶体管M_p2的栅极相连；偏置电阻器R₃的第一端与NMOS晶体管M_n2的栅极相连，偏置电阻器R₃的第二端连接偏置电压V_bn2；偏置电阻器R₄的第一端与PMOS晶体管M_p2的栅极相连，偏置电阻器R₄的第二端连接偏置电压V_bp2；NMOS晶体管M_n2的源极接地，PMOS晶体管M_p2的源极连接电源V_DD；NMOS晶体管M_n2的漏极和PMOS晶体管M_p2的漏极相连，共同作为第二互补共源级的输出端；

所述第一反馈级包括：NMOS晶体管M_n3、PMOS晶体管M_p3、反馈电阻器R_F1、隔直电容器C₅、隔直电容器C₆、偏置电阻器R₅以及偏置电阻器R₆；隔直电容器C₅的第一端与隔直电容器C₆的第一端相连，且隔直电容器C₅和隔直电容器C₆的第一端共同作为第一反馈级的输入端；隔直电容器C₅的第二端与PMOS晶体管M_p3的栅极相连，隔直电容器C₆的第二端与NMOS晶体管M_n3的栅极相连；偏置电阻器R₆的第一端与NMOS晶体管M_n3的栅极相连，偏置电阻器R₆的第二端连接偏置电压V_bn3；偏置电阻器R₅的第一端与PMOS晶体管M_p3的栅极相连，偏置电阻器R₅的第二端连接偏置电压V_bp3；NMOS晶体管M_n3的漏极连接电源V_DD，PMOS晶体管M_p3的漏极接地；反馈电阻器R_F1第一端与NMOS晶体管M_n3的源极以及PMOS晶体管M_p3的源极相连，所述反馈电阻器R_F1第二端作为第一反馈级的输出端；

所述第一负载级包括：交流耦合电容器C_L1和负载电阻器R_L1；交流耦合电容器C_L1的第一极板与第一反馈级的输入端相连，交流耦合电容器C_L1的第二极板与负载电阻器R_L1的第一端相连，负载电阻器R_L1的第二端接地。