[发明专利]一种具有高效陷光结构的晶体硅太阳能电池及其制备方法在审

专利信息
申请号: 201510772304.4 申请日: 2015-11-12
公开(公告)号: CN105261665A 公开(公告)日: 2016-01-20
发明(设计)人: 陈阿青 申请(专利权)人: 杭州电子科技大学
主分类号: H01L31/068 分类号: H01L31/068;H01L31/0236;H01L31/18
代理公司: 杭州君度专利代理事务所(特殊普通合伙) 33240 代理人: 杜军
地址: 310018 浙*** 国省代码: 浙江;33
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摘要:
搜索关键词: 一种 具有 高效 结构 晶体 太阳能电池 及其 制备 方法
【权利要求书】:

1.一种具有高效陷光结构的晶体硅太阳能电池,其特征在于从光线照射方向依次包括前电极层、透明导电减反射层、陷光P型发射层、N型吸收层、N+掺杂层、背电极层;

所述的N型吸收层的背光面设置有与N型吸收层形成欧姆接触的背电极层;N型吸收层的受光面开有若干呈矩阵分布的倒置四棱台结构的盲孔。

2.一种具有高效陷光结构的晶体硅太阳能电池的制备方法,其特征在于该方法如下:

将单晶硅片作为N型吸收层,然后在其受光面利用微加工工艺开有若干倒置四棱台结构的盲孔,这些盲孔呈矩阵周期性有序阵列分布;

采用扩散工艺在上述盲孔上制备P型发射层;

采用扩散工艺在N型单晶片背光面制备N+掺杂层;

在P型发射层的受光面利用磁控溅射等镀膜工艺制备TCO层;

利用丝网印刷工艺在TCO层的受光面上印刷前电极层;

利用丝网印刷工艺在N+掺杂层的背光面印刷与N型吸收层形成欧姆接触的背电极层。

3.如权利要求1所述的一种具有高效陷光结构的晶体硅太阳能电池或如权利要求2所述的一种具有高效陷光结构的晶体硅太阳能电池的制备方法,其特征在于盲孔矩阵阵列中相邻盲孔之间的间隔距离为1~2um。

4.如权利要求1所述的一种具有高效陷光结构的晶体硅太阳能电池或如权利要求2所述的一种具有高效陷光结构的晶体硅太阳能电池的制备方法,其特征在于盲孔矩阵阵列中相邻盲孔之间的间隔距离为1um。

5.如权利要求1所述的一种具有高效陷光结构的晶体硅太阳能电池或如权利要求2所述的一种具有高效陷光结构的晶体硅太阳能电池的制备方法,其特征在于盲孔矩阵阵列中盲孔的顶面是边长为10~13um的矩形,底面为边长小于1um的矩形,四个侧壁为倒置的等腰梯形。

6.如权利要求1所述的一种具有高效陷光结构的晶体硅太阳能电池或如权利要求2所述的一种具有高效陷光结构的晶体硅太阳能电池的制备方法,其特征在于所述的前电极为日字型铝电极,线宽为1~2mm。

7.如权利要求1所述的一种具有高效陷光结构的晶体硅太阳能电池或如权利要求2所述的一种具有高效陷光结构的晶体硅太阳能电池的制备方法,其特征在于所述的P型发射层的厚度在500nm以内。

8.如权利要求1所述的一种具有高效陷光结构的晶体硅太阳能电池或如权利要求2所述的一种具有高效陷光结构的晶体硅太阳能电池的制备方法,其特征在于所述的N型吸收层为掺杂浓度为1.0×1018~1.0×1019的单晶硅片,厚度为100~300um。

9.如权利要求1所述的一种具有高效陷光结构的晶体硅太阳能电池或如权利要求2所述的一种具有高效陷光结构的晶体硅太阳能电池的制备方法,其特征在于所述的N+掺杂层为重掺杂,浓度为1.0×1020以上。

10.如权利要求1所述的一种具有高效陷光结构的晶体硅太阳能电池或如权利要求2所述的一种具有高效陷光结构的晶体硅太阳能电池的制备方法,其特征在于所述的背电极为厚度为100nm以上的铝电极平板。

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