[发明专利]一种具有高效陷光结构的晶体硅太阳能电池及其制备方法在审
申请号: | 201510772304.4 | 申请日: | 2015-11-12 |
公开(公告)号: | CN105261665A | 公开(公告)日: | 2016-01-20 |
发明(设计)人: | 陈阿青 | 申请(专利权)人: | 杭州电子科技大学 |
主分类号: | H01L31/068 | 分类号: | H01L31/068;H01L31/0236;H01L31/18 |
代理公司: | 杭州君度专利代理事务所(特殊普通合伙) 33240 | 代理人: | 杜军 |
地址: | 310018 浙*** | 国省代码: | 浙江;33 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 具有 高效 结构 晶体 太阳能电池 及其 制备 方法 | ||
1.一种具有高效陷光结构的晶体硅太阳能电池,其特征在于从光线照射方向依次包括前电极层、透明导电减反射层、陷光P型发射层、N型吸收层、N+掺杂层、背电极层;
所述的N型吸收层的背光面设置有与N型吸收层形成欧姆接触的背电极层;N型吸收层的受光面开有若干呈矩阵分布的倒置四棱台结构的盲孔。
2.一种具有高效陷光结构的晶体硅太阳能电池的制备方法,其特征在于该方法如下:
将单晶硅片作为N型吸收层,然后在其受光面利用微加工工艺开有若干倒置四棱台结构的盲孔,这些盲孔呈矩阵周期性有序阵列分布;
采用扩散工艺在上述盲孔上制备P型发射层;
采用扩散工艺在N型单晶片背光面制备N+掺杂层;
在P型发射层的受光面利用磁控溅射等镀膜工艺制备TCO层;
利用丝网印刷工艺在TCO层的受光面上印刷前电极层;
利用丝网印刷工艺在N+掺杂层的背光面印刷与N型吸收层形成欧姆接触的背电极层。
3.如权利要求1所述的一种具有高效陷光结构的晶体硅太阳能电池或如权利要求2所述的一种具有高效陷光结构的晶体硅太阳能电池的制备方法,其特征在于盲孔矩阵阵列中相邻盲孔之间的间隔距离为1~2um。
4.如权利要求1所述的一种具有高效陷光结构的晶体硅太阳能电池或如权利要求2所述的一种具有高效陷光结构的晶体硅太阳能电池的制备方法,其特征在于盲孔矩阵阵列中相邻盲孔之间的间隔距离为1um。
5.如权利要求1所述的一种具有高效陷光结构的晶体硅太阳能电池或如权利要求2所述的一种具有高效陷光结构的晶体硅太阳能电池的制备方法,其特征在于盲孔矩阵阵列中盲孔的顶面是边长为10~13um的矩形,底面为边长小于1um的矩形,四个侧壁为倒置的等腰梯形。
6.如权利要求1所述的一种具有高效陷光结构的晶体硅太阳能电池或如权利要求2所述的一种具有高效陷光结构的晶体硅太阳能电池的制备方法,其特征在于所述的前电极为日字型铝电极,线宽为1~2mm。
7.如权利要求1所述的一种具有高效陷光结构的晶体硅太阳能电池或如权利要求2所述的一种具有高效陷光结构的晶体硅太阳能电池的制备方法,其特征在于所述的P型发射层的厚度在500nm以内。
8.如权利要求1所述的一种具有高效陷光结构的晶体硅太阳能电池或如权利要求2所述的一种具有高效陷光结构的晶体硅太阳能电池的制备方法,其特征在于所述的N型吸收层为掺杂浓度为1.0×1018~1.0×1019的单晶硅片,厚度为100~300um。
9.如权利要求1所述的一种具有高效陷光结构的晶体硅太阳能电池或如权利要求2所述的一种具有高效陷光结构的晶体硅太阳能电池的制备方法,其特征在于所述的N+掺杂层为重掺杂,浓度为1.0×1020以上。
10.如权利要求1所述的一种具有高效陷光结构的晶体硅太阳能电池或如权利要求2所述的一种具有高效陷光结构的晶体硅太阳能电池的制备方法,其特征在于所述的背电极为厚度为100nm以上的铝电极平板。
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