[发明专利]一种具有高效陷光结构的晶体硅太阳能电池及其制备方法

权利要求书

1.一种具有高效陷光结构的晶体硅太阳能电池，其特征在于从光线照射方向依次包括前电极层、透明导电减反射层、陷光P型发射层、N型吸收层、N⁺掺杂层、背电极层；

所述的N型吸收层的背光面设置有与N型吸收层形成欧姆接触的背电极层；N型吸收层的受光面开有若干呈矩阵分布的倒置四棱台结构的盲孔。

2.一种具有高效陷光结构的晶体硅太阳能电池的制备方法，其特征在于该方法如下：

将单晶硅片作为N型吸收层，然后在其受光面利用微加工工艺开有若干倒置四棱台结构的盲孔，这些盲孔呈矩阵周期性有序阵列分布；

采用扩散工艺在上述盲孔上制备P型发射层；

采用扩散工艺在N型单晶片背光面制备N⁺掺杂层；

在P型发射层的受光面利用磁控溅射等镀膜工艺制备TCO层；

利用丝网印刷工艺在TCO层的受光面上印刷前电极层；

利用丝网印刷工艺在N⁺掺杂层的背光面印刷与N型吸收层形成欧姆接触的背电极层。

3.如权利要求1所述的一种具有高效陷光结构的晶体硅太阳能电池或如权利要求2所述的一种具有高效陷光结构的晶体硅太阳能电池的制备方法，其特征在于盲孔矩阵阵列中相邻盲孔之间的间隔距离为1～2um。

4.如权利要求1所述的一种具有高效陷光结构的晶体硅太阳能电池或如权利要求2所述的一种具有高效陷光结构的晶体硅太阳能电池的制备方法，其特征在于盲孔矩阵阵列中相邻盲孔之间的间隔距离为1um。

5.如权利要求1所述的一种具有高效陷光结构的晶体硅太阳能电池或如权利要求2所述的一种具有高效陷光结构的晶体硅太阳能电池的制备方法，其特征在于盲孔矩阵阵列中盲孔的顶面是边长为10～13um的矩形，底面为边长小于1um的矩形，四个侧壁为倒置的等腰梯形。

6.如权利要求1所述的一种具有高效陷光结构的晶体硅太阳能电池或如权利要求2所述的一种具有高效陷光结构的晶体硅太阳能电池的制备方法，其特征在于所述的前电极为日字型铝电极，线宽为1～2mm。

7.如权利要求1所述的一种具有高效陷光结构的晶体硅太阳能电池或如权利要求2所述的一种具有高效陷光结构的晶体硅太阳能电池的制备方法，其特征在于所述的P型发射层的厚度在500nm以内。

8.如权利要求1所述的一种具有高效陷光结构的晶体硅太阳能电池或如权利要求2所述的一种具有高效陷光结构的晶体硅太阳能电池的制备方法，其特征在于所述的N型吸收层为掺杂浓度为1.0×10¹⁸～1.0×10¹⁹的单晶硅片，厚度为100～300um。

9.如权利要求1所述的一种具有高效陷光结构的晶体硅太阳能电池或如权利要求2所述的一种具有高效陷光结构的晶体硅太阳能电池的制备方法，其特征在于所述的N⁺掺杂层为重掺杂，浓度为1.0×10²⁰以上。

10.如权利要求1所述的一种具有高效陷光结构的晶体硅太阳能电池或如权利要求2所述的一种具有高效陷光结构的晶体硅太阳能电池的制备方法，其特征在于所述的背电极为厚度为100nm以上的铝电极平板。