[发明专利]中压浇注法制造异形匣钵的配方及其生产工艺在审

专利信息
申请号: 201510772906.X 申请日: 2015-11-13
公开(公告)号: CN106699126A 公开(公告)日: 2017-05-24
发明(设计)人: 陈树生;金宝元;于志和;韦立国 申请(专利权)人: 唐山隆昌瓷业有限公司
主分类号: C04B33/28 分类号: C04B33/28;C04B33/04;C04B33/13
代理公司: 暂无信息 代理人: 暂无信息
地址: 063000 河北省唐山*** 国省代码: 河北;13
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摘要:
搜索关键词: 浇注 法制 异形 匣钵 配方 及其 生产工艺
【说明书】:

技术领域

发明涉及材料技术领域,具体涉及中压浇注法制造异形匣钵的配方及其生产工艺。

背景技术

当前日用陶瓷烧成过程中使用的异形匣钵均采用350T-500T液压成型工艺,此设备投资高、占地面积大且生产异形匣钵均有较高的厚度以及较大的质量,在生产中不仅大幅度增加劳动强度而且造成了大量的资源和能源的浪费。

发明内容

本发明的目的在于针对现有技术的缺陷和不足,提供一种经久耐用、轻便节能环保的中压浇注法制造异性匣钵的配方及其生产工艺。

为实现上述目的,本发明采用的技术方案是:中压浇注法制造异性匣钵的配方,它包含如下重量份数:高岭土20-25份、滑石10-15份、生铝矾土5-10份、熟铝矾土50-60份、水10-20份。

中压浇注法制造异性匣钵的生产工艺包含如下步骤:

1、将高岭土20-25份、滑石10-15份、生铝矾土5-10份,进行研磨使其颗粒直径达到0.06-0.07mm后,加入颗粒直径为1-1.5mm的粗粉料熟铝矾土50-60份,入磨后,加入水10-20份,继续混合均匀1h,使其成为水分在25-30%的浆料;

2、将上述步骤1混合均匀的浆料加入到密闭的容器内进行真空脱气,脱气50-60min,然后用空气压缩机对容器内加压至0.15mpa,达到压力后打开管道阀门,将浆料浇注到模型内待成坯后脱模、干燥,直至水分低于2-5%;

3、最后,将上述步骤2所得的坯体经过1200-1250摄氏度的烧制即成。

作为优选,所述的高岭土中的二氧化硅的质量百分比为44-48%,三氧化二铝的质量百分比为34-38%;所述的滑石中的二氧化硅的质量百分比为52-55%,氧化镁的质量百分比为30-34%;所述的生铝矾土中的二氧化硅的质量百分比为32-36%,三氧化二铝的质量百分比为52-55%;所述的熟铝矾土中的二氧化硅的质量百分比为36-40%,三氧化二铝的质量百分比为53-57%。

作为优选,所述的生铝矾土和熟铝矾土分别为低品位生铝矾土和低品位熟铝矾土。

本发明产生的有益效果为:本发明所述的中压浇注法制造异性匣钵的配方及其生产工艺,投资少、见效快、使用寿命长,使用寿命比液压成型匣钵提高一倍以上,而且重量比液压成型匣钵减轻1-2倍,大幅度降低生产成本同时可提升产品质量降低员工劳动强度。

具体实施方式

下面对本发明作进一步的说明。

本具体实施方式采用如下技术方案:中压浇注法制造异性匣钵的配方,它包含如下重量份数:24份高岭土、15份滑石、6份低品位生铝矾土、55份低品位熟铝矾土、10份水。

作为优选,所述的高岭土中的二氧化硅的质量百分比为46%,三氧化二铝的质量百分比为36%;所述的滑石中的二氧化硅的质量百分比为53.58%,氧化镁的质量百分比为32%;所述的低品位生铝矾土中的二氧化硅的质量百分比为34.90%,三氧化二铝的质量百分比为53.61%;所述的低品位熟铝矾土中的二氧化硅的质量百分比为38.71%,三氧化二铝的质量百分比为55.27%。

中压浇注法制造异性匣钵的生产工艺包含如下步骤:

1、将上述24份高岭土、15份滑石、6份低品位生铝矾土原料入磨研磨使其泥料颗粒直径达到0.06mm后,再加入55份颗粒直径为1mm低品位熟铝矾土,入磨后,加入水10份,继续混淆1h后,使其成为水分在28%的浆料;

2、将上述步骤1混合均匀的浆料加入到密闭的容器内进行真空脱气,脱气50-60min,然后用空气压缩机对容器内加压至0.15mpa,达到压力后打开管道阀门,将浆料浇注到模型内待成坯后脱模、干燥,直至水分低于2-5%;

3、最后,将上述步骤2所得的坯体经过1200-1250摄氏度的烧制即成。

本具体实施方式产生的有益效果为:本具体实施方式所述的中压浇注法制造异性匣钵的配方及其生产工艺,投资少、见效快、使用寿命长,使用寿命比液压成型匣钵提高一倍以上,而且重量比液压成型匣钵减轻1—2倍,大幅度降低生产成本同时可提升产品质量降低员工劳动强度。

以上显示和描述了本发明的基本原理和主要特征以及本发明的优点。本行业的技术人员应该了解,本发明不受上述实例的限制,上述实例和说明书中描述的只是说明本发明的原理,在不脱离本发明精神和范围的前提下,本发明还会有各种变化和改进,这些变化和改进都落入要求保护的本发明范围内。本发明要求保护范围由所附的权利要求书及其等效物界定。

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