[发明专利]循环利用硫酸铵从硫化铜矿中湿法提铜的工艺方法在审
申请号: | 201510776087.6 | 申请日: | 2015-11-13 |
公开(公告)号: | CN105316490A | 公开(公告)日: | 2016-02-10 |
发明(设计)人: | 张泽强 | 申请(专利权)人: | 武汉工程大学 |
主分类号: | C22B15/00 | 分类号: | C22B15/00;C22B1/02;C22B3/08;C22B3/26 |
代理公司: | 湖北武汉永嘉专利代理有限公司 42102 | 代理人: | 崔友明 |
地址: | 430074 湖北*** | 国省代码: | 湖北;42 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | |||
搜索关键词: | 循环 利用 硫酸铵 硫化 铜矿 湿法 工艺 方法 | ||
技术领域
本发明属于湿法提铜领域,具体涉及一种循环利用硫酸铵进行硫酸化焙烧,进而从硫化铜矿中湿法提铜的工艺方法。
背景技术
硫化铜矿是世界上最重要的铜矿资源之一。虽然从硫化铜矿中提取铜,目前仍以火法冶炼为主,但火法工艺对铜矿品位要求较高,而且存在着能耗高、流程复杂和SO2气体及砷之类有毒金属化合物污染环境的问题。随着硫化铜矿资源品位越来越低,越来越难选,而环境保护的要求又不断提高,加之近几年铜价波动幅度较大,火法炼铜工艺的弊端和不足正在逐步凸显出来。
湿法提铜工艺适应性广,投资少,生产成本低,环境保护问题容易解决,尤其是用于处理低品位复杂硫化铜矿优势更为明显。随着铜萃取剂及工业化萃取技术的不断发展,湿法提铜工艺取得了较大突破,很多工艺已成功应用于生产实际。其中,硫化铜矿的硫酸化焙烧-浸出-萃取-电积工艺,是世界上应用最广的一种湿法提铜成熟工艺,通过对硫化铜矿进行硫酸化焙烧,可以使铜金属硫化物转化为易溶于稀硫酸的CuSO4和CuO·CuSO4,而铁金属硫化物则转化为不易溶的氧化物。焙砂用稀硫酸选择性浸出铜后,再通过萃取进一步富集铜和分离铁等杂质,最后通过电积可以获得高纯度的金属铜产品。
尽管硫酸化焙烧提高了从硫化铜矿中湿法提铜的选择性,但焙烧过程同样会产生SO2气体。更重要的是焙砂浸出铜后,在随后的萃取和电积提铜工序中,会产生大量过剩的硫酸。用石灰中和法处理虽然简单易行,但却导致酸液无法回收利用,既增加了生产成本,又存在着产生的大量含铜石膏难处理,容易造成二次污染的问题。正因为如此,硫酸化焙烧-浸出-萃取-电积提铜工艺虽然曾风行一时,但与其它湿法提铜工艺一样,最终难以在生产上大规模应用。
发明内容
本发明针对现有技术的不足,目的在于提供一种循环利用硫酸铵进行硫酸化焙烧,进而从硫化铜矿中湿法提铜的工艺方法。
为实现上述发明目的,本发明采用的技术方案为:
一种循环利用硫酸铵从硫化铜矿中湿法提铜的工艺方法,其特征在于,包括如下步骤:
(1)将硫化铜矿中的硫化铜矿物与硫酸铵按照1:1.2~1.6的比例混合,进行硫酸化焙烧,得到焙砂和氨气;
(2)焙烧结束后,向焙砂中加入水或稀硫酸溶液进行浸出铜处理,过滤分离出浸渣和浸液;
(3)采用萃取和电积工艺从浸液中提取金属铜,提取结束后,得到金属铜和废硫酸液,部分废硫酸液返回浸出铜处理环节用于浸出铜,其余废酸液与步骤(1)焙烧分解出来的氨气中和得到硫酸铵,加入溶析剂,采用溶析结晶的方法结晶出硫酸铵,将硫酸铵返回硫酸化焙烧环节循环利用,将结晶液蒸馏回收溶析剂后作为净化液排放。
上述方案中,步骤(1)所述硫酸化焙烧的工艺条件为:焙烧的温度为400℃~500℃;焙烧时间为100min~200min。
上述方案中,步骤(2)所述浸出铜处理的工艺条件为:浸出温度为60℃~90℃,浸出时间为60min~120min,浸出液固比为2~4。
上述方案中,进行硫酸化焙烧时,加入硫酸钾作为催化剂,所述硫酸钾的加入量为硫酸铵的用量的2%~6%,所述硫酸钾可采用溶析结晶的方法结晶出循环利用。
上述方案中,所述溶析剂为乙醇。
本发明中,采用硫酸铵和硫酸钾与硫化铜矿混合进行硫酸化焙烧,硫酸铵是硫酸盐中热稳定性最差的,其在100℃时就开始分解为氨和硫酸氢铵:
(NH4)2SO4→NH3↑+NH4HSO4(1)
若温度继续升高,硫酸氢铵将进一步分解:
(NH4HSO4→NH3↑+SO3H2O(2)
而氧化气氛下焙烧硫化铜矿时,其中的硫化铜矿物主要发生以下反应:
2CuFeS2→Cu2S+2FeS+S(3)
2Cu2S+5O2→2CuO+2CuSO4(4)
2CuS→Cu2S+S(5)
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于武汉工程大学,未经武汉工程大学许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201510776087.6/2.html,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇:相位补偿薄膜光束组合器
- 下一篇:连接装置