[发明专利]经碰撞谐振能转移到能量吸附气体调整等离子体的VUV发射

权利要求书

1.一种在半导体处理室中调整来自等离子体的真空紫外(VUV)辐射的发射的方法，所述方法包括：

在所述处理室中产生等离子体，所述等离子体包括含有氦(He)的VUV发射物气体和含有氖(Ne)的碰撞能量吸收物气体，所述等离子体发射VUV辐射；以及

通过改变所述等离子体中的所述VUV发射物气体与碰撞能量吸收物气体的浓度比来调整来自所述等离子体的VUV辐射的发射。

2.如权利要求1所述的方法，其中所述VUV发射物气体是氦。

3.如权利要求2所述的方法，其中所述碰撞能量吸收物气体是氖。

4.如权利要求3所述的方法，其中调整来自所述等离子体的VUV辐射的发射包括使氦和/或氖按一定比例流入所述处理室中以改变所述等离子体中的氦与氖的浓度比。

5.如权利要求4所述的方法，其中来自所述等离子体的VUV辐射的发射通过使氦流入所述处理室中以提高所述等离子体中的氦与氖的比例来调高。

6.如权利要求4所述的方法，其中来自所述等离子体的VUV辐射的发射通过使氖流入所述处理室中以降低所述等离子体中的氦与氖的比例来调低。

7.如权利要求4所述的方法，其进一步包括：

测量所述等离子体和/或衬底的性质；以及

响应于测得的所述性质设置氦和/或氖到所述处理室中的流。

8.如权利要求7所述的方法，其中所述性质是来自所述等离子体的激活状态的物质的发射带的发射强度。

9.如权利要求8所述的方法，其中所测得的所述发射带是氖的集中在632.8nm的发射带。

10.如权利要求7所述的方法，其中所述性质是用测量工具测得的半导体衬底的所蚀刻的特征的轮廓，所述特征已在所述处理室中被蚀刻。

11.如权利要求10所述的方法，其中响应于所述所蚀刻的特征的侧壁的测得的弯曲而减小氦的流和/或增大氖的流。

12.如权利要求1-11中任一项所的方法，其中所述等离子体是电容耦合等离子体。

13.如权利要求12所述的方法，其中所述半导体处理室是电容耦合等离子体反应器的一部分，所述等离子体在所述半导体处理室中被产生，所述反应器具有上板，所述反应器被配置使得所述上板和所述衬底之间的间隙在1.5cm和2.5cm之间。

14.如权利要求1-11中任一项所述的方法，其中所述等离子体是电感耦合等离子体，其中所述半导体处理室是电感耦合等离子体反应器的一部分，所述等离子体在所述半导体处理室中被产生，所述电感耦合等离子体反应器具有间隙区，所述等离子体在所述间隙区中被产生，且其中所述反应器包括位于所述间隙区内的提供一定结构的一或多个部件，氖原子能对着所述结构碰撞并被碰撞去激励。

15.如权利要求14所述的方法，其中提供用于氖的去激励的所述结构的所述一或多个部件包括成组的同心圆筒，所述成组的同心圆筒被定位成它们的中心轴与所述衬底的平面垂直。