[发明专利]一种Flyback电路

说明书

技术领域

本发明涉及电子线路技术领域，特别涉及一种Flyback电路。

背景技术

目前，Flyback结构用广泛，其原因有：从电路的角度看，Flyback电路有最少元件的特点；从设计的角度看，Flyback电路具有结构简单、可靠性高的特点；从经济的角度看，Flyback电路成本较低，适合小功率电源使用。现有技术中，Linear公司为代表的Flyback结构应用较为广泛，该Flyback结构包含2个变压器(即变压器一和变压器二)，变压器一的次级输出包含2个线圈，一个线圈输出采用MOSFET替代传统二极管实现半波整流功能，经过滤波电容后输出电压，另一个线圈作为输出电压的反馈信号调节输出稳定性，Linear芯片产生的PWM(Pulse-WidthModulation，脉宽调制)波经过变压器二隔离后，用于控制该MOSFET的开关。以Linear公司为代表的Flyback结构，MOSFET打开或者关闭控制信号是额外的PWM波提供，与次级线圈中的PWM波信号源不一致，存在的相位不同步的问题，影响整流信号的输出和电源稳定性，要达到稳定的电压输出，需要控制相位，增加了电路的复杂度和成本，且难以实现完全一致。此外，由于增加了第二个变压器，占用面积变大，成本增加。

发明内容

本发明实施例通过提供一种Flyback电路，解决了现有技术中Flyback电路相位不同步及信号输出的稳定性差的技术问题，使得Flyback电路的相位同步并且具有稳定的电压输出。

本发明实施例提供了一种Flyback电路，包括：变压器、MOS管、保护电路及滤波单元。

所述变压器的线圈部分由初级线圈、第一次级线圈及第二次级线圈构成；所述初级线圈的两端为第一输入端及第二输入端，所述第一输入端及所述第二输入端用于输入PWM波信号。

所述第一次级线圈的两端为第一输出端及第二输出端，所述第一输出端与所述MOS管的源极连接，所述第二输出端接输出地；所述MOS管的漏极与所述滤波单元的一端连接，所述滤波单元的另一端接所述输出地；所述MOS管的栅极与所述保护电路的输出端连接，所述保护电路还分别与所述输入地及所述输出地连接。

所述第二次级线圈的两端为第三输出端及第四输出端；所述第三输出端与所述保护电路的输入端连接，所述第四输出端接输入地。

所述滤波单元的一端与电压输出端口的一端连接，所述滤波单元的另一端与所述电压输出端口的另一端连接，所述电压输出端口为所述Flyback电路的总输出接口。

进一步地，所述铁芯为棒状铁芯。

进一步地，所述初级线圈及所述第二次级线圈设置在所述铁芯的同一侧，所述第一次级线圈设置在所述铁芯的另一侧；所述第二次级线圈设置在所述初始线圈的下方。

进一步地，所述MOS管为NMOS管或PMOS管。

进一步地，所述保护电路为光耦隔离保护电路。

进一步地，所述滤波单元为滤波电容。

本发明实施例提供的一种或多种技术方案，至少具备以下有益效果或优点：

1、本发明实施例提供的Flyback电路，控制MOS管开关的信号与第一次级线圈输出的PWM波的相位相同，使得Flyback电路的相位同步并且具有稳定的电压输出。本发明实施例提供的Flyback电路，利用变压器第二次级线圈的反馈信号控制MOS管的开关，电路结构设计巧妙，且变压器的次级输出仅需两个线圈，无需定制特殊的变压器，不占用更多的面积，降低了生产成本。

2、本发明实施例提供的Flyback电路，利用MOS管进行整流，转换效率高，可提供较大的电流及支持较大的功率输出。

3、本发明实施例提供的Flyback电路，MOS管可采用NMOS管或PMOS管，MOS管的选材范围广。

4、本发明实施例提供的Flyback电路，保护电路采用光耦隔离保护电路，隔离效果好，可有效避免信号之间的串扰。

5、本发明实施例提供的Flyback电路，滤波单元采用滤波电容，滤波电容的结构简单、成本较低，同时具备较好的滤波效果，在保证Flyback电路滤波效果的前提下，降低了生产成本。

附图说明

图1为本发明实施例提供的Flyback电路结构示意图；

图2为本发明实施例提供的输入电压为54V、输出电压为12V的变压器结构示意图；

图3为本发明实施例提供的输入电压为90～265V、输出电压为55V的变压器结构示意图。

具体实施方式