[发明专利]氧化铟烧结体、氧化铟透明导电膜以及该透明导电膜的制造方法

权利要求书

1.一种氧化铟烧结体，其含有锆和锡作为添加物，其特征在于，锆的原子浓度相对于铟的原子浓度与锆的原子浓度之和的比率为0.5～4％的范围，并且锡的原子浓度相对于铟的原子浓度与锆的原子浓度以及锡的原子浓度之和的比率为0.015～0.5％的范围，相对密度为99.5％以上，体电阻为0.5mΩ·cm以下。

2.如权利要求1所述的氧化铟烧结体，其中除了所述添加物以外还含有镁和/或钙，其特征在于，镁的原子浓度或钙的原子浓度或者它们的原子浓度之和相对于全部金属元素的原子浓度之和的比率为0.5～2.0％的范围，相对密度为99.5％以上，体电阻为0.5mΩ·cm以下。

3.一种氧化铟透明导电膜，其含有锆作为添加物，其特征在于，锆的原子浓度相对于铟的原子浓度与锆的原子浓度之和的比率为0.5～4％的范围，电阻率为8×10^-4Ω·cm以下，但不包括8×10^-4Ω·cm，电子迁移率为15cm²/V·s以上，波长1200nm下的透射率为85％以上，为非晶膜。

4.如权利要求3所述的氧化铟透明导电膜，其中除了所述添加物以外还含有锡，其特征在于，锡的原子浓度相对于铟的原子浓度与锆的原子浓度以及锡的原子浓度之和的比率为0.015～0.5％的范围，电阻率为8×10^-4Ω·cm以下，但不包括8×10^-4Ω·cm，电子迁移率为15cm²/V·s以上，波长1200nm下的透射率为85％以上，为非晶膜。

5.如权利要求4所述的氧化铟透明导电膜，其中除了所述添加物以外还含有镁和/或钙，其特征在于，镁的原子浓度或钙的原子浓度或者它们的原子浓度之和相对于全部金属元素的原子浓度之和的比率为0.5～2.0％的范围，电阻率为8×10^-4Ω·cm以下，但不包括8×10^-4Ω·cm，电子迁移率为15cm²/V·s以上，波长1200nm下的透射率为85％以上，为非晶膜。

6.如权利要求3至5中任一项所述的氧化铟透明导电膜，其特征在于，结晶温度在150℃～260℃的范围内。

7.一种氧化铟透明导电膜的制造方法，通过溅射制造氧化铟透明导电膜，其特征在于，在包含氩气和氧气并且氧气浓度低于1％的混合气体氛围中，保持衬底未加热或者150℃以下，通过溅射将权利要求1或2中所述的氧化物烧结体在衬底上形成非晶膜。

8.一种氧化铟透明导电膜的制造方法，通过溅射制造氧化铟透明导电膜，其特征在于，在包含氩气和氧气并且氧气浓度低于1％的混合气体氛围中，保持衬底未加热或者150℃以下，通过溅射将权利要求1或2中所述的氧化物烧结体在衬底上形成非晶膜，将该膜进行蚀刻而形成电路图案，然后在结晶温度以上的温度下进行退火，由此使膜结晶。

9.一种氧化铟透明导电膜的制造方法，通过溅射制造氧化铟透明导电膜，其特征在于，在包含氩气和氧气并且氧气浓度低于1％的混合气体氛围中，保持衬底处于结晶温度以上的温度，通过溅射将权利要求1或2中所述的氧化物烧结体在衬底上形成结晶膜。