[发明专利]一种二硒化钴/碳纳米材料及其制备方法与应用

权利要求书

1.一种二硒化钴/碳纳米材料，其特征在于，包括基底、厚度为1μm～2μm的CoSe₂层以及厚度为1nm～10nm的无定形碳层，所述CoSe₂层生长于所述基底表面，呈现三维片状结构，所述无定形碳层附着于所述CoSe₂层表面，且所述CoSe₂层与所述无定形碳层的质量比为90:1～1800:1，所述基底为钛片或钛丝。

2.如权利要求1所述的二硒化钴/碳纳米材料，其特征在于，所述无定形碳层的厚度为5nm～8nm。

3.如权利要求1所述的二硒化钴/碳纳米材料，其特征在于，所述CoSe₂层与所述无定形碳层的质量比为180:1～540:1。

4.如权利要求3所述的二硒化钴/碳纳米材料，其特征在于，所述CoSe₂层与所述无定形碳层的质量比为245:1～395:1。

5.一种如权利要求1-4中任意一项所述的二硒化钴/碳纳米材料的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：

(1)将三维片状的CoSe₂在0.05mol/L～0.2mol/L的蔗糖溶液中浸泡0.5h以上，使得所述CoSe₂表面充分附着蔗糖溶液，所述CoSe₂生长于基底表面，且厚度为1μm～2μm，所述基底为钛片或钛丝；

(2)将步骤(1)得到的附着蔗糖溶液的CoSe₂在保护气体氛围下400℃～500℃锻烧，使得所述CoSe₂表面的蔗糖溶液中的蔗糖碳化成为无定形碳，即获得所需纳米材料。

6.如权利要求5所述的方法，其特征在于，在所述步骤(1)中，浸泡的同时在180℃～220℃加热，使得所述蔗糖溶液中的蔗糖发生缩合反应。

7.如权利要求5所述的方法，其特征在于，在步骤(1)之前，还包括CoSe₂的制备：将硒前驱体液在180℃～220℃加热10h～24h，然后将生长有Co₃O₄纳米线的基底与所述硒前驱体液在140℃～220℃反应8h～24h，得到生长有三维片状的CoSe₂层的基底，所述硒前驱体液包括0.08％～0.8％质量百分比的硒粉以及0.1mol/L～3mol/L的OH^-。

8.如权利要求7所述的方法，其特征在于，所述Co₃O₄纳米线的直径为20nm～80nm。

9.一种锂离子电池负极，其特征在于，包括如权利要求1-4中任意一项所述的纳米材料。