[发明专利]金属区段作为接着垫及IC装置中的区域互连件

权利要求书

1.一种制造半导体装置的方法，其包含：

形成源极/漏极接触件及栅极接触件，其连接至位于集成电路装置中的基板上的晶体管，每一接触件具有具第一面积的上表面；

在所述接触件的上表面于一平面上形成金属区段，每一金属区段与一或多个所述接触件接触并具有大于该第一面积的第二面积，其中，至少一个所述金属区段接触于一或多个该源极/漏极接触件；

在一或多个所述金属区段与第一金属层的一或多个第一区段之间形成一或多个通孔；及

基于包括内缘及外缘的工艺变异(PV)带形成所述金属区段，其中，相邻金属区段基于所述相邻金属区段的该工艺变异(PV)带的该外缘之间的临限距离而路由或布置。

2.根据权利要求1所述的方法，其中，一或多个所述金属区段作为用于该源极/漏极接触件及栅极接触件的二个或多个之间的区域互连件。

3.根据权利要求1所述的方法，进一步包含：

形成第二金属层的第二区段，其与该栅极接触件及该第一金属层的一或多个第一区段垂直。

4.根据权利要求3所述的方法，进一步包含：

形成将一或多个所述金属区段或该第一金属层的一或多个所述第一区段连接至该第二金属层的通孔。

5.根据权利要求3所述的方法，进一步包含：

形成第一及第二层间介电(ILD)层；

形成通过所述层间介电层的通孔；及

在该第一层间介电层中形成所述金属区段及该第一金属层，以及在该第二层间介电层中形成该第二金属层。

6.根据权利要求3所述的方法，进一步包含：

将该第二金属层的一或多个所述第二区段连接至电源层、接地层、及位线。

7.一种半导体装置，其包含：

源极/漏极接触件及栅极接触件，其连接至位于集成电路装置中的基板上的晶体管，每一接触件具有具第一面积的上表面；

在所述接触件的上表面于平面中的金属区段，每一金属区段与一或多个所述接触件接触且具有大于该第一面积的第二面积，其中，至少一个所述金属区段接触于一或多个该源极/漏极接触件；及

在一或多个所述金属区段及第一金属层的一或多个第一区段之间的一或多个通孔；

其中，所述金属区段基于包括内缘及外缘的工艺变异(PV)带而形成，且相邻金属区段基于所述相邻金属区段的该工艺变异(PV)带的该外缘之间的临限距离而路由或布置。

8.根据权利要求7所述的半导体装置，其中，一或多个所述金属区段在二或多个所述源极/漏极接触件及栅极接触件之间形成一或多个区域互连件。

9.根据权利要求7所述的半导体装置，进一步包含：

第二金属层的第二区段，其与该栅极接触件及该第一金属层的所述一或多个第一区段垂直。

10.根据权利要求9所述的半导体装置，进一步包含：

将一或多个所述金属区段或该第一金属层的一或多个所述第一区段连接至该第二金属层的通孔。

11.根据权利要求9所述的半导体装置，进一步包含：

第一及第二层间介电(ILD)层，其中，所述通孔通过所述层间介电层，且其中，所述金属区段及该第一金属层在该第一层间介电层中，且该第二金属层在该第二层间介电层中。

12.根据权利要求9所述的半导体装置，其中，该第二金属层的一或多个所述第二区段连接至电源层、接地层、及位线。