[发明专利]一种应用于PWM脉冲整形的电路系统有效

专利信息
申请号: 201510779604.5 申请日: 2015-11-12
公开(公告)号: CN105471411B 公开(公告)日: 2019-02-05
发明(设计)人: 刘超;曹为理;张允志;孙宏伟;邹金欣;李景银;花磊;李帅;陈卫彬;徐鹏;韩瑜 申请(专利权)人: 中国船舶重工集团公司第七一六研究所;江苏杰瑞科技集团有限责任公司
主分类号: H03K5/01 分类号: H03K5/01
代理公司: 南京理工大学专利中心 32203 代理人: 朱宝庆
地址: 222061 *** 国省代码: 江苏;32
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摘要:
搜索关键词: 一种 应用于 pwm 脉冲 整形 电路 系统
【说明书】:

发明提供一种应用于PWM脉冲整形的电路系统,包括两个PWM脉冲输入端,还包括一电源、一输入电平选择模块、两个PWM脉冲整形模块、一PWM脉冲死区时间发生器与级联方式选择模块、一逻辑故障保护模块。PWM脉冲死区时间发生器与级联方式选择模块可以选择两种PWM脉冲工作模式,包括:第一,两路输入PWM脉冲独立驱动不同负载;第二,两路输入脉冲互补驱动同一负载。

技术领域

本发明涉及一种电子信息技术,特别是一种应用于PWM脉冲整形的电路系统。

背景技术

PWM(PulseWidth Modulation)控制,即脉宽调制技术,它的思想源于通信技术,基本原理是通过对一系列脉冲的宽度进行调制,来等效的获得所需要的波形(含形状和幅值)。PWM控制技术是在电力电子领域有着广泛应用,并对电力电子技术产生深远影响的一项技术。IGBT、电力MOSFET等为代表的全控型电力电子器件的不断完善给PWM控制技术提供了强大的物质基础。目前,在功率变换领域,PWM控制技术的应用随处可见,如PWM整流器、PWM逆变器等,其主要电路拓扑结构大多都是由全控型电力电子器件(IGBT、电力MOSFET等)构成的单相H桥或三相全桥式电路结构,这些全控型器件一般通过PWM脉宽调制技术控制其通断来产生特定频率、幅值及相位的波形,而这些全控型电力电子器件(IGBT、电力MOSFET等)一般功率较大,需要使用专用的驱动电路。这类驱动电路的主要要求除了良好的电气隔离能力、驱动能力及延时小等外,另外一个主要作用就是对PWM脉冲进行整形处理。目前市场上主流的驱动产品如瑞士的CONCEPT公司和德国的INFINEON公司推出的产品具有较高的集成度,数字化程度高,保护功能较齐全,在风能和太阳能逆变器中应用广泛,但这些产品价格昂贵,在实际使用时不易根据实际应用场合调整参数及满足用户的某些可定制化要求;而国内的厂商推出的产品价格适中,但功能单一,可靠性较低,因此限制了其应用的范围。

发明内容

本发明的目的在于提供一种应用PWM脉冲整形的电路模块,该电路模块具有输入阻抗高、功能扩展性强、电气参数可调、保护功能可靠、成本低、外形尺寸小、适用性强等特点,非常适合应用于全控型器件(如IGBT、电力MOSFET等)的专用驱动电路中。

一种应用于PWM脉冲整形的电路系统,包括两个PWM脉冲输入端,还包括一电源、一输入电平选择模块、两个PWM脉冲整形模块、一PWM脉冲死区时间发生器与级联方式选择模块、一逻辑故障保护模块。

电源用于提供工作电压;输入电平选择模块用于选择输入脉冲的电平类型,如TTL或CMOS型,并为PWM脉冲整形提供反相输入端的参考电压;PWM脉冲整形模块用于对输入的PWM脉冲进行整形处理,过滤掉信号中的虚假脉冲;PWM脉冲死区时间发生器与级联方式选择模块用于选择两路PWM脉冲工作的两种模式;逻辑故障保护模块用于若工作电路发生故障时,封锁PWM脉冲输出;两个开关逻辑控制模块,用于使输出的脉冲分别与输入的脉冲保持同相;所述两种PWM脉冲工作模式包括:第一,两路输入PWM脉冲独立驱动不同负载;第二,两路输入脉冲互补驱动同一负载。

本发明与现有技术相比,其显著优点:(1)参数易调整、功能扩展性强,可以通过选择开关的闭合和断开来选择输入脉冲电平为TTL或CMOS型,同时可以通过选择开关的闭合和断开来设置输入脉冲PWM1和PWM2工作于独立驱动单个功率开关管模式或两者互补驱动同一个桥臂上的两个功率开关管模式,允许用户通过在并联端子上并联电阻调节PWM脉冲死区时间来满足实际使用功率开关管的开关特性要求;(2)成本低、结构简单,该电路模块采用分立式元件实现,但成本低、元器件数量少,占用PCB印制板表面积小,易于安装使用;(3)稳定可靠、通用性高,本发明电路使用采用标准接口,同时具有可靠的保护功能,非常适合应用于全控型功率器件(如IGBT、电力MOSFET等)的专用驱动电路中。

下面结合说明书附图对本发明做进一步描述。

附图说明

图1为本发明原理框图。

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