[发明专利]多卡多待移动终端寻呼冲突的处理方法和装置有效
申请号: | 201510779866.1 | 申请日: | 2015-11-13 |
公开(公告)号: | CN106714305B | 公开(公告)日: | 2020-10-30 |
发明(设计)人: | 马荃;傅杰 | 申请(专利权)人: | 展讯通信(上海)有限公司 |
主分类号: | H04W68/02 | 分类号: | H04W68/02;H04W76/28;H04W88/06 |
代理公司: | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人: | 张凤伟;吴敏 |
地址: | 201203 上海市浦东新区张*** | 国省代码: | 上海;31 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | |||
搜索关键词: | 多卡多待 移动 终端 寻呼 冲突 处理 方法 装置 | ||
1.一种多卡多待移动终端寻呼冲突的处理方法,所述多卡多待移动终端配置单天线,且支持第一通信系统与第二通信系统,其中,所述第一通信系统的寻呼消息DRX周期大于所述第二通信系统的寻呼消息DRX周期,其特征在于,所述处理方法包括:
当所述第一通信系统与第二通信系统寻呼冲突时,先控制所述多卡多待移动终端接收所述第一通信系统的寻呼消息,再在所述多卡多待移动终端接收所述第一通信系统的第i次寻呼消息后,且在接收所述第一通信系统的第i+1次寻呼消息前,控制所述多卡多待移动终端接收预设次数的所述第二通信系统中与所述第一通信系统已发生寻呼冲突的寻呼消息,i为自然数,且i>1;
其中,所述预设次数,小于或等于接收所述第一通信系统的第i次寻呼消息前,所述第一通信系统与第二通信系统已发生寻呼冲突的次数;并且,所述预设次数,小于所述第一通信系统与第二通信系统的寻呼消息DRX周期的比值。
2.如权利要求1所述的多卡多待移动终端寻呼冲突的处理方法,其特征在于,在所述多卡多待移动终端接收所述第一通信系统的第i次寻呼消息后,且在接收所述第一通信系统的第i+1次寻呼消息前,控制所述多卡多待移动终端接收所述第二通信系统中与所述第一通信系统存在寻呼冲突的寻呼消息,包括:
在所述多卡多待移动终端接收所述第一通信系统的第i次寻呼消息后,且在接收所述第一通信系统的第i+1次寻呼消息前,控制所述多卡多待移动终端关闭天线,并切换至所述第二通信系统,接收所述第二通信系统中与所述第一通信系统存在寻呼冲突的寻呼消息。
3.如权利要求1-2任一项所述的多卡多待移动终端寻呼冲突的处理方法,其特征在于,所述第一通信系统为LTE系统,第二通信系统为WCDMA系统;或者,所述第一通信系统为WCDMA系统,第二通信系统为LTE系统。
4.一种多卡多待移动终端寻呼冲突的处理装置,所述多卡多待移动终端配置单天线,且支持第一通信系统与第二通信系统,其中,所述第一通信系统的寻呼消息DRX周期大于所述第二通信系统的寻呼消息DRX周期,其特征在于,所述处理装置包括:
冲突判断单元,适于判断所述第一通信系统与第二通信系统是否存在寻呼冲突;
第一控制单元,适于当所述第一通信系统与第二通信系统寻呼冲突时,控制所述多卡多待移动终端接收所述第一通信系统的寻呼消息;
第二控制单元,适于在所述第一控制单元控制所述多卡多待移动终端接收所述第一通信系统的寻呼消息后,在所述多卡多待移动终端接收所述第一通信系统的第i次寻呼消息后,且在接收所述第一通信系统的第i+1次寻呼消息前,控制所述多卡多待移动终端接收预设次数的所述第二通信系统中与所述第一通信系统存在寻呼冲突的寻呼消息,i为自然数,且i>1;
其中,所述预设次数,小于或等于接收所述第一通信系统的第i次寻呼消息前,所述第一通信系统与第二通信系统已发生寻呼冲突的次数;并且,所述预设次数,小于所述第一通信系统与第二通信系统的寻呼消息DRX周期的比值。
5.如权利要求4所述的多卡多待移动终端寻呼冲突的处理装置,其特征在于,所述第二控制单元,适于在所述多卡多待移动终端接收所述第一通信系统的第i次寻呼消息后,且在接收所述第一通信系统的第i+1次寻呼消息前,控制所述多卡多待移动终端关闭天线,并切换至所述第二通信系统,接收所述第二通信系统中与所述第一通信系统存在寻呼冲突的寻呼消息。
6.如权利要求4-5任一项所述的多卡多待移动终端寻呼冲突的处理装置,其特征在于,所述第一通信系统为LTE系统,第二通信系统为WCDMA系统;或者,所述第一通信系统为WCDMA系统,第二通信系统为LTE系统。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于展讯通信(上海)有限公司,未经展讯通信(上海)有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201510779866.1/1.html,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇:低成本稀土闪烁晶体的生长
- 下一篇:一种高纯半绝缘碳化硅衬底的制备方法