[发明专利]微机械硅谐振器的温度补偿结构及制作方法在审
| 申请号： | 201510780724.7 | 申请日： | 2015-11-13 |
| 公开（公告）号： | CN105245198A | 公开（公告）日： | 2016-01-13 |
| 发明（设计）人： | 熊斌;冯端;徐德辉;马颖蕾;陆仲明;王跃林 | 申请（专利权）人： | 中国科学院上海微系统与信息技术研究所 |
| 主分类号： | H03H9/24 | 分类号： | H03H9/24;H03H3/007 |
| 代理公司： | 上海光华专利事务所 31219 | 代理人： | 余明伟 |
| 地址： | 200050 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 微机 谐振器 温度 补偿 结构 制作方法 | ||
1.一种微机械谐振器温度补偿结构的制作方法，其特征在于：所述制作方法至少包括如下步骤：
提供一具有三层复合结构的基底，其包括底层基底、位于该底层基底上的绝缘层以及位于顶层的具有第一温度系数的结构层，所述结构层上具有周期分布的凹槽；
沉积具有第二温度系数的补偿材料层，并覆盖所述结构层以及所述凹槽；
对所述补偿材料层进行研磨抛光后去除多余的补偿材料，保留所述凹槽中的补偿材料；
刻蚀所述结构层，形成微机械谐振器结构；
刻蚀底层基底，在其背部形成空腔结构；
自所述空腔结构内刻蚀绝缘层完成对微机械谐振器的释放；
所述第一温度系数和所述第二温度系数相反。
2.根据权利要求1所述的微机械谐振器温度补偿结构的制作方法，其特征在于：所述第一温度系数为正温度系数；所述第二温度系数为负温度系数。
3.根据权利要求1所述的微机械谐振器温度补偿结构的制作方法，其特征在于：所述第一温度系数为负温度系数；所述第二温度系数为正温度系数。
4.一种微机械谐振器温度补偿结构，其特征在于：该微机械谐振器温度补偿结构包括微机械谐振器结构；
设有空腔并用于支撑所述微机械谐振器结构的底层基底以及位于所述微机械谐振器结构与所述底层基底之间的绝缘层；
所述微机械谐振器结构包括具有第一温度系数的结构层，所述结构层上具有周期分布的凹槽；
填充满所述凹槽的具有第二温度系数的补偿材料；
所述填充补偿材料的结构层通过结构定义孔悬空于所述空腔上方，所述第一温度系数和所述第二温度系数相反。
5.根据权利要求4所述的微机械谐振器温度补偿结构，其特征在于：具有周期分布的凹槽未贯通所述结构层。
6.根据权利要求4所述的微机械谐振器温度补偿结构，其特征在于：所述凹槽的横截面为倒梯形。
7.根据权利要求4所述的微机械谐振器温度补偿结构，其特征在于：所述补偿材料以几何结构均匀分布在所述结构层中。
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