[发明专利]旋转蚀刻清洗机台的流体收集装置

说明书

本发明提供的旋转蚀刻清洗机台的流体收集装置，用于收集由一基板表面飞溅的流体，所述流体收集装置包括多个收集单元及多个驱动装置。所述多个收集单元环设于所述基板的周围。所述多个驱动装置分别连接于所述多个收集单元，用于独立控制各个收集单元的升降，使得所述多个收集单元可各自收集不同的流体，其中所述多个驱动装置的数量等于所述多个收集单元的数量，克服了现有采用多个气压缸而有升降构件不同步的问题。

【技术领域】

本发明涉及一种流体收集装置，特别涉及一种适用于基板的旋转蚀刻清洗机台的流体收集装置。

【背景技术】

在半导体晶圆、显示器基板、太阳能基板、LED基板等的工艺中，都需要对基板进行处理，例如对基板的表面供给处理液(例如化学品或去离子水等)进行蚀刻、清洗等处理程序，而在所述基板处理中，则必须借助一流体处理装置来针对使用过的处理液进行收集、排液、回收等后续处理。然而，蚀刻过程产生的废液多为有毒液体，必须谨慎处理。因此，如何收集甚至回收再利用不同的废液为一重要课题。

现有的旋转蚀刻清洗机台可参考中国台湾新型专利号M505052U，其揭露在旋转蚀刻槽中设有一载台用以承载及固定晶圆，载台下方的转轴可高速旋转，蚀刻液则由上方的液体供给单元流下。流体收集装置其采用包括多个收集环的收集环模块以收集不同的液体，当转轴高速旋转时，可将废液离心抛向收集环。所述多个收集环必须利用外部升降机构(例如升降气压缸)驱动以相对进行升降作动。在进行不同液体收集时，可事先升降特定收集环，使液体顺着各所述收集环的引导由各所述收集环下方的排液管排出。

然而，为了带动一个收集环升降，一般在收集环周围设置多个升降气压缸以平稳的控制收集环的升降，但也因采用多个气压缸，如有某一气压缸的做动不同步，系统即可能产生警报而停机，进而导致蚀刻液可能对基板过度侵蚀而需报废掉所述基板，或因停机修护降低设备产能，导致生产成本提高及产品良率下降。

【发明内容】

有鉴于此，为了提升流体收集装置的可靠度，本发明的目的在于提供一种旋转蚀刻清洗机台的流体收集装置，其透过每一收集环对应一个驱动装置，克服了现有技术中采用多个气压缸来升降一个收集环而容易造成升降构件不同步的问题。

为达成上述目的，本发明提供的旋转蚀刻清洗机台的流体收集装置用于收集由一基板表面飞溅的流体，所述流体收集装置包括多个收集单元及多个驱动装置。所述多个收集单元环设于所述基板的周围。所述多个驱动装置分别连接于所述多个收集单元，用于独立控制各个收集单元的升降，使得所述多个收集单元可各自收集不同的流体，其中所述多个驱动装置的数量等于所述多个收集单元的数量。

在一优选实施例中，所述多个收集单元包括多个收集环，所述多个收集环依序径向设置。

在一优选实施例中，每一驱动装置包括连结机构，所述连接机构用于稳定地带动所述收集环的升降，避免升降构件不同步。具体地，所述连结机构耦接于所述收集环之外周缘上之第一触点及第二触点。

在此优选实施例中，所述第一触点及所述第二触点于所述收集环的所述外周缘上定义出一弧度，所述弧度介于π/2至π。

在此优选实施例中，所述收集环包括位于所述外周缘上的连接于所述第一触点及所述第二触点的补强件。

在另一优选实施例中，所述连结机构包括连接于所述第一触点及所述第二触点的支撑件，所述支撑件设置于所述收集环的所述外周缘的底部。

在一优选实施例中，所述驱动装置包括一滑轨，所述连接机构包括连接于所述滑轨上做线性移动之环抱臂，所述环抱臂具有第一端点及第二端点。