[发明专利]具有自旋转矩振荡器(STO)和STO腐蚀监控器的滑块

说明书

具有自旋转矩振荡器(STO)和STO腐蚀监控器的滑块。一种支撑具有自旋转矩振荡器(STO)和单独的腐蚀监控器(CM)的微波辅助磁记录(MAMR)的磁盘驱动器滑块。所述CM包括由与STO的间隔层相同的材料形成的腐蚀检测层。所述CM与所述STO共面但是与所述STO侧向间隔开。所述腐蚀检测层在所述ABS处具有边缘，以暴露于与所述STO的间隔层相同的大气条件。电引线位于所述CM的末端处，并且电连接至所述滑块的所述上表面上的衬垫。通过检测所述腐蚀检测层的平面中的电流而测量所述CM的电阻。

技术领域

本发明主要涉及一种磁记录系统，并且更具体地涉及一种提供微波辅助磁记录(MAMR)的具有自旋转矩振荡器(STO)的写磁头。

背景技术

其中在磁盘的磁记录层中的垂直或者平面外方向中存储记录比特的磁记录硬盘驱动器中的垂直磁记录(PMR)允许超高记录密度，即磁盘上的记录比特的面密度超高。然而，记录密度提高需要相应地降低磁记录层中的磁性颗粒的尺寸以实现足够的介质信噪比。随着磁性颗粒的尺寸减小，磁性颗粒的磁晶各向异性必须提高，以保持适当的热稳定性。同时，来自磁头的磁写入场必须超过磁记录层的矫顽力，从而实现饱和数据记录，导致对磁性颗粒的各向异性产生矛盾限制。

已经提出一种采用使用自旋转矩振荡器(STO)的高频辅助写入的PMR系统。也称为微波辅助磁记录(MAMR)的这种记录将来自STO的高频振荡辅助磁场施加给记录层的磁性颗粒。辅助磁场可能具有接近记录层中的磁性颗粒的谐振频率的一定频率，以促进比以无辅助记录时可能以其它方式实现的来自传统磁写入头更低的写入磁场转换颗粒的磁性。相反地，MAMR可能用于将磁记录层的矫顽力提高至高于传统的写入头将单独写入的矫顽力。MAMR提供的矫顽力提高允许磁性颗粒的尺寸减小，并且因而相应地提高记录密度。在US 6,785,092 B2；US 2008/0137224 A1；和J.G.Zhu等人的“Microwave Assisted MagneticRecording”,IEEE Transactions on Magnetics,Vol.44,No.1,January 2008,pp.125-131中描述了MAMR系统。

在所提出的MAMR写入头中，STO位于写入极与尾磁屏蔽之间的磁头载架或者滑块上。STO为由通常为铜(Cu)的非磁性导电间隔层分离的两个或者更多磁性层组成的多层膜堆叠。其中一层磁性层——磁场产生层(FGL)被设计成在存在垂直于膜堆叠的膜平面的直流电流时使其磁化方向振荡。在存在高于临界电流密度的电流时，被称为参考层并且其磁化方向优选地不振荡的另一磁性层起“自旋极化器”的作用，以在FGL处产生自旋极化电流。这使FGL的磁化方向的静态平衡不稳定，导致其在用于MAMR应用的频率下经历持续振荡。

STO Cu间隔层易受可能在滑块的空气轴承表面(ABS)暴露于大气并且Cu氧化时发生的腐蚀影响。STO的电触点高于和低于STO，因为穿过STO层的平面垂直地引导电流。因而，一种通过使用现有的电触点测量STO的电阻而检测腐蚀的方法不可靠，因为间隔层太薄，以致电阻值以及电阻的变化太小。同样地，STO在MAMR磁头中的小尺寸和位置使得难以通过使用扫描电子显微镜(SEM)对STO成像而可靠地检测腐蚀。

由于在大规模生产采用MAMR磁头的滑块期间重要的是能够识别那些具有不可接受STO腐蚀水平的滑块，所以一种可靠的STO腐蚀检测系统和方法是必要的。

发明内容