[发明专利]一种Cr-Si-C-N纳米复合薄膜的制备方法

权利要求书

1.一种Cr-Si-C-N纳米复合薄膜的制备方法，其特征在于：包括如下步骤

(1)打开非平衡磁控溅射系统真空腔门，将清洗吹干的基材装夹在载物台上后，关闭该溅射系统真空腔门；

(2)等本底真空度抽至10^-4Pa数量级，抽真空过程中保持腔体温度200℃，使腔体内的残余水分更快蒸发；

(3)等腔体温度下降到室温后，通入Ar气，开启直流溅射靶，对基材进行离子束清洗30min，去除基材表面污染物并活化基材表面；

(4)保持载物台旋转速度10rpm，通入高纯氩气，腔体内的气压稳定在4.0～5.0×10^-1Pa，调节金属Cr靶的溅射电流4.0A，保持基材负偏压-80V，占空比50％，基材温度Rt＝300℃，在室温下沉积9分钟，沉积过渡Cr层；

(5)通入高纯氩气和氮气的混合气体，通入不同流量的三甲基硅烷或者四甲基硅烷，腔体内的气压稳定在4.0～5.0×10^-1Pa，改变硅烷的流量，调节直流磁控溅射金属Cr靶电流为4.0A，调节直流磁控溅射C靶电流为1.0A，基材负偏压是-80V，占空比为50％，基材温度R_t＝100～300℃，沉积时间为80min，旋转载物台在基材上制备Cr-Si-C-N纳米复合薄膜。

2.如权利要求1所述的Cr-Si-C-N纳米复合薄膜的制备方法，其特征在于：步骤(1)中基材为单晶硅片或者不锈钢或者钛合金。

3.如权利要求2所述的Cr-Si-C-N纳米复合薄膜的制备方法，其特征在于：步骤(1)中将切割好的单晶Si片、不锈钢或钛合金在丙酮，酒精和去离子水中进行超声清洗，干燥后待用。

4.如权利要求1所述的Cr-Si-C-N纳米复合薄膜的制备方法，其特征在于：步骤(3)中开启直流溅射靶，其中基材与靶材的距离保持在7～8cm，Ar气流量20～40sccm，离子束偏压-450V，占空比50％，对基材进行离子束清洗30min，去除基材表面污染物并活化基材表面。