[发明专利]一种孪生对靶磁控溅射制备覆铜陶瓷基板的装置及方法

权利要求书

1.一种孪生对靶磁控溅射制备覆铜陶瓷基板的装置，其特征在于，包括：

至少一个溅镀真空室，竖直放置，形状为圆柱形桶体或方形盒体，内设真空泵和加热件，其高度方向一侧内壁向外凸出形成一容置腔；

至少一对孪生对靶，每对孪生对靶对应一个溅镀真空室，其包括金属圆柱靶和铜合金圆柱靶，位于所述溅镀真空室内并对称设置于容置腔两侧，所述金属圆柱靶和铜合金圆柱靶互为阴阳极；

至少两灭弧罩，形状为圆弧形，弧度与所述金属圆柱靶和铜合金圆柱靶外周向配合，分别可旋转地绕设于所述金属圆柱靶和铜合金圆柱靶外周；

两气管，设置于所述溅镀真空室内，并分别位于所述金属圆柱靶和铜合金圆柱靶外侧，形状为管体，表面开设有若干气孔；

至少一个阳极线性离子源，形状为方形，设置于所述溅镀真空室容置腔内壁中部，与所述金属圆柱靶和铜合金圆柱靶形成三角形排布，所述金属圆柱靶产生的金属等离子体、铜合金圆柱靶产生的铜合金等离子体及阳极线性离子源产生的氩气等离子体或氩气与氧气混合等离子体在所述溅镀真空室内侧中部交汇形成一等离子体交汇区；

一氧化铝陶瓷基片，架设于所述等离子体交汇区内，其相对所述阳极线性离子源一侧可拆卸地设有一挡板；

一补偿气体气管，设置于所述溅镀真空室内侧，并位于所述氧化铝陶瓷基片与阳极线性离子源之间，形状为管体，表面开设有若干通气孔。

2.根据权利要求1所述的一种孪生对靶磁控溅射制备覆铜陶瓷基板的装置，其特征在于，所述溅镀真空室的数量为2个或3个，并列排布，相邻的两溅镀真空室之间设有可开关的挡板。

3.根据权利要求1所述的一种孪生对靶磁控溅射制备覆铜陶瓷基板的装置，其特征在于，所述金属圆柱靶和铜合金圆柱靶之间间距为1000~3000mm。

4.根据权利要求1所述的一种孪生对靶磁控溅射制备覆铜陶瓷基板的装置，其特征在于，所述灭弧罩弧顶处与阳极线性离子源之间间距为90~120mm。

5.根据权利要求1所述的一种孪生对靶磁控溅射制备覆铜陶瓷基板的装置，其特征在于，所述金属圆柱靶产生的金属等离子体、铜合金圆柱靶产生的铜合金等离子体及阳极线性离子源产生的氩气等离子体或氩气与氧气混合等离子体在金属圆柱靶正前方110~250mm处交汇形成所述等离子体交汇区。

6.根据权利要求1所述的一种孪生对靶磁控溅射制备覆铜陶瓷基板的装置，其特征在于，所述金属圆柱靶靶材为铝硅靶，靶材纯度为99.9%；所述铜合金圆柱靶靶材为铜硅靶，靶材纯度为99.9%。

7.根据权利要求1所述的一种孪生对靶磁控溅射制备覆铜陶瓷基板的装置，其特征在于，所述阳极线性离子源功率为0~10kw。