[发明专利]一种高压悬浮MOSFET/IGBT连续栅极驱动电路在审

专利信息
申请号: 201510784690.9 申请日: 2015-11-16
公开(公告)号: CN105245141A 公开(公告)日: 2016-01-13
发明(设计)人: 周敛荣;王海涛;李彩侠;潘美珍 申请(专利权)人: 中国电子科技集团公司第四十三研究所
主分类号: H02P7/28 分类号: H02P7/28;H02M1/088
代理公司: 合肥天明专利事务所 34115 代理人: 金凯
地址: 230088 安*** 国省代码: 安徽;34
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摘要:
搜索关键词: 一种 高压 悬浮 mosfet igbt 连续 栅极 驱动 电路
【权利要求书】:

1.一种高压悬浮MOSFET/IGBT连续栅极驱动电路,包括方波谐振电路(3)和充电电路(1),其特征在于:还包括幅度鉴别电路(4)和通道切换电路(2)

所述幅度鉴别电路(4),用于鉴别输入信号状态,为通道切换电路(2)提供开关控制信号,当输入信号在线性区时输出低电平信号,反之当输入信号在线性区以外时输出高电平信号;

所述通道切换电路(2),用于根据幅度鉴别电路(4)的输出开关控制信号切换驱动电路的输入信号通道,当幅度鉴别电路(4)输出低电平信号时输出正常的调宽方波信号给驱动电路,反之幅度鉴别电路(4)输出高电平信号时将谐振方波信号输出给驱动电路。

2.根据权利要求1所述的高压悬浮MOSFET/IGBT连续栅极驱动电路,其特征在于:所述幅度鉴别电路(4)包括比较器N1A、N1B,二极管V1、V2和电容C2,所述比较器N1A的同相输入端依次经电阻R5为电路的输入端,其的反相输入端经电阻R3与电源VDD相连,其输出端经电阻R9与电源VDD相连,比较器N1A的同相输入端经电阻R7与其输出端相连,所述电容C2的一端与比较器N1A的同相输入端相连,其另一端与比较器N1A的反相输入端相连;所述比较器N1B的同相输入端分别经电阻R2与电源VDD相连、经电阻R1接地,其反相输入端与比较器N1A的同相输入端相连,其输出端经电阻R10与电源VDD相连,所述比较器N1A的输出端与二极管V1的阳极相连,其阴极与二极管V2的阴极相连作为电路的输出端,所述比较器N1B的输出端与二极管V2的阳极相连。

3.根据权利要求2所述的高压悬浮MOSFET/IGBT连续栅极驱动电路,其特征在于:所述幅度鉴别电路(4)还包括输入滤波电路,所述输入滤波电路由电阻R6和电容C1组成,所述电阻R6的一端为电路的输入端,其另一端与电阻R5相连,所述电容C1的一端接地,其另一端连接在电阻R5和电阻R6之间的节点处。

4.根据权利要求1所述的高压悬浮MOSFET/IGBT连续栅极驱动电路,其特征在于:所述通道切换电路(2)采用至少两通道的数字控制模拟电子开关N2,所述数字控制模拟电子开关N2的控制端与幅度鉴别电路(4)的输出端相连,其两通道输入端分别与方波谐振电路(3)、PWM调宽方波信号相连,其输出端与驱动芯片相连。

5.根据权利要求4所述的高压悬浮MOSFET/IGBT连续栅极驱动电路,其特征在于:所述数字控制模拟电子开关N2的型号为CD4053。

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