[发明专利]超结器件的终端保护结构

权利要求书

1.一种超结器件的终端保护结构，超结器件的中间区域为电荷流动区，终端保护结构环绕于所述电荷流动区的外周，所述终端保护结构包括过渡区和电压承受区，所述过渡区位于所述电荷流动区和所述电压承受区之间；其特征在于：

所述电荷流动区包含由形成于N型外延层中的交替排列的第一P型柱和第一N型柱组成的第一部分超结结构；

在俯视面上，所述第一P型柱和所述第一N型柱都呈长条形且互相平行，各所述第一P型柱和所述第一N型柱都沿着长度方向延伸到所述电荷流动区的外侧的所述电压承受区中形成第二部分超结结构；

由形成于所述N型外延层中的交替排列的第二P型柱和第二N型柱组成的第三部分超结结构，所述第三部分超结结构沿着所述第一P型柱的宽度方向从所述电荷流动区的外侧延伸到所述电压承受区中；所述第二P型柱和所述第二N型柱都呈长条形且互相平行，且所述第二P型柱和所述第一P型柱平行；

所述第二部分超结结构和所述第三部分超结结构一起组成环绕在所述电荷流动区的外周的所述终端保护结构的超结结构，使所述终端保护结构的超结结构的所述第二部分超结结构和所述第三部分超结结构的P型柱和N型柱都为不带转折的长条形，从而提高所述超结器件的漏电特性；

在所述过渡区中形成有场板和P型环，所述场板呈环形结构并环绕在所述电荷流动区的外周；所述P型环形成于所述N型外延层中，所述P型环呈环形结构并环绕在所述电荷流动区的外周；

在所述电压承受区的最外端的所述N型外延层中形成有截止环，所述截止环呈环形结构并环绕在所述终端保护结构的超结结构的外周；

在所述终端保护结构的超结结构还包括一条呈环状结构的第三P型柱，所述第三P型柱环绕在所述第二部分超结结构和所述第三部分超结结构的外周。

2.如权利要求1所述的超结器件的终端保护结构，其特征在于：在所述终端保护结构区域的所述N型外延层上形成有终端介质膜，所述终端介质膜具有一台阶结构，所述台阶结构的侧面倾斜且位于所述过渡区中，从所述过渡区到所述电压承受区方向上所述台阶结构的厚度逐渐增加；

所述过渡区的场板覆盖所述台阶结构并延伸到所述电压承受区的所述终端介质膜上，所述过渡区的场板在覆盖所述台阶结构位置处具有倾斜侧面。

3.如权利要求2所述的超结器件的终端保护结构，其特征在于：所述过渡区的场板为多晶硅场板，金属场板，多晶硅场板和金属场板的组合结构。

4.如权利要求3所述的超结器件的终端保护结构，其特征在于：所述过渡区的场板为多晶硅场板和金属场板的组合结构中，所述多晶硅场板在覆盖所述台阶结构位置处具有倾斜侧面；

在具有侧面倾斜的多晶硅场板的顶部形成有金属场板，该金属场板和所述侧面倾斜的多晶硅场板之间不连接或者通过接触孔连接。

5.如权利要求2所述的超结器件的终端保护结构，其特征在于：所述终端介质膜的组成材料为热氧化膜。

6.如权利要求1所述的超结器件的终端保护结构，其特征在于：所述截止环由形成于所述N型外延层的N+区和该N+区上的介质膜组成；

或者，所述截止环由形成于所述N型外延层的N+区、该N+区上的介质膜以及该介质膜上的保护环组成，所述保护环通过接触孔和底部的N+区接触，所述保护环为多晶硅保护环或金属保护环；

或者，所述截止环由形成于所述N型外延层的N+区、该N+区上的介质膜、该介质膜上的保护环和多晶硅场板环组成，所述保护环通过接触孔和底部的N+区接触，所述保护环为多晶硅保护环或金属保护环；所述多晶硅场板环和所述保护环通过接触孔接触或者所述多晶硅场板环和所述保护环不连接。

7.如权利要求6所述的超结器件的终端保护结构，其特征在于：在所述保护环和底部的N+区接触的所述接触孔底部形成有P+区。

8.如权利要求6或7所述的超结器件的终端保护结构，其特征在于：所述截止环的N+区的掺杂浓度大于1e16cm^-3。