[发明专利]用于收发器接口过压钳位的装置和方法

权利要求书

1.一种电子装置，包括：

基底的p型区中的n型隔离结构；

所述n型隔离结构中的第一p型阱区；

所述第一p型阱区中的第一p型有源区和第一n型有源区，其中所述第一n型有源区和所述第一p型有源区电连接到第一端子；

所述n型隔离结构中的且从所述第一p型阱区隔开的第二p型阱区，其中所述n型隔离结构使第一p型阱区和第二p型阱区与所述基底的所述p型区电隔离；

所述第二p型阱区中的第二p型有源区和第二n型有源区，其中所述第二n型有源区和所述第二p型有源区电连接到第二端子；和

位于所述第一n型有源区和第二n型有源区之间的阻塞电压调谐结构。

2.如权利要求1所述的装置，其中所述阻塞电压调谐结构包括：

包括所述第一p型阱区和第一n型区之间的第一半导体接口的第一阻塞结，其中所述第一端子和第二端子之间的反向保护特性基于所述第一阻塞结的阻塞电压；和

包括所述第二p型阱区和第二n型区之间的第二半导体接口的第二阻塞结，其中所述第一端子和第二端子之间的正向保护特性基于所述第二阻塞结的阻塞电压。

3.如权利要求1所述的装置，其中所述n型隔离结构包括：包括所述n型隔离结构的第一壁的第一n型阱，包括所述n型隔离结构的第二壁的第二n型阱以及包括所述n型隔离结构的底部的深n型阱隔离区。

4.如权利要求1所述的装置，其中所述阻塞电压调谐结构包括：

第三n型有源区，其中至少部分所述第三n型有源区处于所述第一p型阱区中；和

第三p型有源区，其中至少部分所述第三p型有源区处于第二p型阱区中。

5.如权利要求4所述的装置，其中所述阻塞电压调谐结构还包括：

邻接所述第一p型阱区的n型阱，其中所述第三n型有源区位于沿着所述第一p型阱区和所述n型阱之间的边界。

6.如权利要求4所述的装置，其中所述阻塞电压调谐结构还包括：

所述第三n型有源区下面的n型轻掺杂漏极(NLDD)区。

7.如权利要求4所述的装置，其中所述阻塞电压调谐结构还包括：

在所述第三n型有源区和所述第三p型有源区之间延伸的氧化区。

8.如权利要求4所述的装置，其中所述阻塞电压调谐结构还包括：

所述第三p型有源区和所述第三n型有源区之间、所述基底的一部分之上的电介质区；和

所述电介质区上面的导体。

9.如权利要求4所述的装置，其中所述阻塞电压调谐结构还包括：

位于第三p型有源区和第三n型有源区之间的第四p型有源区。

10.如权利要求1所述的装置，其中所述第一p型阱区至少包括第一p型阱或第一浅p型阱中的一个，并且其中所述第二p型阱区至少包括第二p型阱或第二浅p型阱中的一个。

11.如权利要求1所述的装置，其中所述阻塞电压调谐结构包括：

第三p型有源区，其中至少部分所述第三p型有源区处于所述第一p型阱区中；和

第四p型有源区，其中至少部分所述第四p型有源区处于所述第二p型阱区中。

12.如权利要求11所述的装置，其中所述阻塞电压调谐结构还包括：

所述第三p型有源区和所述第四p型有源区之间、所述基底的一部分之上的第一电介质区；和

所述第一电介质区上面的第一导体。

13.如权利要求11所述的装置，其中所述阻塞电压调谐结构还包括：

位于所述第一p型阱区和所述第二p型阱区之间的n型阱。