[发明专利]一种金属纳米晶改性半导体光电位置传感器件的制备方法

权利要求书

1.一种金属纳米晶改性半导体光电位置传感器件的制备方法，其特征在于，包括半导体衬底，金属纳米晶颗粒，覆盖在金属纳米晶颗粒上的氧化物半导体衬薄膜及电极，通过以下方式完成：

（1）在经过标准清洗流程的半导体衬底Si片上采用磁控溅射工艺快速沉积均匀分布的非连续金属纳米晶颗粒；

（2）采用原子层沉积方法制备氧化物半导体薄膜进行覆盖；

（3）在半导体氧化物薄膜上制备电极，即获到性能明显提高的光电位移传感器件。

2.根据权利要求1所述一种金属纳米晶改性半导体光电位置传感器件的制备方法，其特征在于，步骤（1）中金属纳米晶颗粒采用磁控溅射工艺的本底真空应在10^-5Pa数量级，溅射气压稳定在1Pa左右；整溅射功率为25W时时间控制在5-10s。

3.根据权利要求1所述一种金属纳米晶改性半导体光电位置传感器件的制备方法，其特征在于，步骤（2）中ZnO薄膜的ALD制备工艺，载气流量控制在150-200sccm；反应温度控制在120-150℃；脉冲时间按照经验参数分别设定为0.3s，二乙基锌和0.4s，超纯水；沉积循环数目在100-150个范围内。