[发明专利]适用于HEVC标准的基于SRAM的DCT输入输出数据缓存方法有效

专利信息
申请号: 201510787841.6 申请日: 2015-11-17
公开(公告)号: CN105376582B 公开(公告)日: 2018-10-16
发明(设计)人: 范益波;黄磊磊;刘淑君;曾晓洋 申请(专利权)人: 复旦大学
主分类号: H04N19/433 分类号: H04N19/433;H04N19/625;H04N19/122
代理公司: 上海正旦专利代理有限公司 31200 代理人: 陆飞;盛志范
地址: 200433 *** 国省代码: 上海;31
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摘要:
搜索关键词: 适用于 hevc 标准 基于 sram dct 输入输出 数据 缓存 方法
【权利要求书】:

1.一种适用于HEVC标准的基于SRAM的DCT输入输出数据缓存方法,其中使用4个深度为128、宽度为8像素宽度的静态随机存储器;

首先,将64×64大小的图像处理块等分成4个32×32大小的1/4图像处理块,每个图像处理块的标号用符号nQLCU表示,序号以光栅顺序记录,从0计数;将32×32大小的1/4图像处理块等分成16个8×8大小的1/64图像处理块,每个图像处理块的标号用符号nBlock表示,序号以光栅顺序记录,从0计数;将8×8大小的1/64图像处理块等分成8个1×8大小的图像处理行,每个图像处理行的标号用符号nRow表示,序号依次向下,从0计数;

于是,每个图像处理行的完整表示方式是nQLCU-nBlock-nRow

每个静态随机访问存储器的标号用符号bank表示,从0计数;每个静态随机访问存储器的地址用符号addr表示,从零计数;

于是,每个存储单元的完整表示方式是bank-addr

根据上述标号定义,各图像处理块的数据与各静态随机访问存储器中各存储单元地址之间对应的存储关系,即具体映射公式如下:

当nRow%4等于0时,bank = (nBlock+0)%4

当nRow%4等于1时,bank = (nBlock+2)%4

当nRow%4等于2时,bank = (nBlock+1)%4 (1)

当nRow%4等于3时,bank = (nBlock+3)%4

addr = 32×nQLCU+8×[nRow/4]+nBlock

此处,符号“%”表示取余,符号“[]”表示取整,且向采用下取整的方式。

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