[发明专利]晶体管功率放大器的输入电路和设计这种电路的方法

权利要求书

1.一种电路，包括：

输入匹配网络；以及

晶体管，具有耦合到所述输入匹配网络的输出的输入电极，其中，

当向所述输入匹配网络馈送具有相对低的功率电平的输入信号时，所述输入匹配网络具有第一输入阻抗，其中，

当向所述输入匹配网络馈送具有相对高的功率电平的输入信号时，所述输入匹配网络具有不同于所述第一输入阻抗的输入阻抗，其中，

所述电路还包括功率电平感测电路，所述功率电平感测电路由所述输入信号来馈送，当所述功率电平感测电路感测到所述输入信号具有所述相对高的功率电平时，所述输入匹配网络具有串联地耦合在所述输入信号与所述晶体管的所述输入电极之间的第一电感，并且其中，当所述功率电平感测电路感测到所述输入信号具有所述相对低的功率电平时，所述输入匹配网络具有串联地耦合在所述输入信号与所述晶体管的所述输入电极之间的第二电感，其中，

当所述功率电平感测电路感测到所述输入信号具有所述相对低的功率电平时，所述第一电感和所述第二电感并联连接，并且其中，

所述晶体管是具有场栅极或伽玛栅极的GaN晶体管器件，针对所述GaN晶体管器件的所述输入匹配网络是通过如下步骤来设计的：

通过具有相对大的输入信号功率电平的所述输入匹配网络来驱动所述器件；

以所述器件在预定输出功率电平处的输出来改变所述输入匹配网络的参数；

当所述输入匹配网络的参数被改变时，测量所述器件的传输函数性能参数；以及

根据所测量的传输函数性能参数来选择所述输入匹配网络的参数。

2.根据权利要求1所述的电路，其中，所述晶体管具有场板。

3.根据权利要求1所述的电路，其中，所述晶体管是氮化镓晶体管。

4.根据权利要求3所述的电路，其中，所述晶体管具有场板。

5.一种电路，包括：

晶体管，其具有输入电极；

输入匹配网络，其具有由输入信号馈送的输入并且具有连接到所述晶体管的所述输入电极的输出；以及

功率电平感测电路，其由所述输入信号来馈送，其中，

所述输入匹配网络响应于所述功率电平感测电路进行以下操作：

当所述功率电平感测电路感测到所述输入信号具有相对低的功率电平时，用第一输入阻抗来配置所述输入匹配网络；以及

当所述功率电平感测电路感测到所述输入信号具有相对高的功率电平时，用不同于所述第一输入阻抗的输入阻抗来配置所述输入匹配网络，

其中，

当所述功率电平感测电路感测到所述输入信号具有所述相对高的功率电平时，所述输入匹配网络具有串联地耦合在所述输入信号与所述晶体管的所述输入电极之间的第一电感，其中，

当所述功率电平感测电路感测到所述输入信号具有所述相对低的功率电平时，所述输入匹配网络具有串联地耦合在所述输入信号与所述晶体管的所述输入电极之间的第二电感，其中，

当所述功率电平感测电路感测到所述输入信号具有所述相对低的功率电平时，所述第一电感和所述第二电感并联连接，并且其中，

所述晶体管是具有场栅极或伽玛栅极的GaN晶体管器件，针对所述GaN晶体管器件的所述输入匹配网络是通过如下步骤来设计的：

通过具有相对大的输入信号功率电平的所述输入匹配网络来驱动所述器件；

以所述器件在预定输出功率电平处的输出来改变所述输入匹配网络的参数；

当所述输入匹配网络的参数被改变时，测量所述器件的传输函数性能参数；以及

根据所测量的传输函数性能参数来选择所述输入匹配网络的参数。

6.根据权利要求5所述的电路，其中，所述晶体管具有场板。

7.根据权利要求5所述的电路，其中，所述晶体管是氮化镓晶体管。

8.根据权利要求7所述的电路，其中，所述晶体管具有场板。

9.根据权利要求5所述的电路，其中，所述晶体管是场效应晶体管，并且其中，所述输入电极是所述晶体管的栅电极。