[发明专利]积层型半导体封装体的制造装置在审
申请号: | 201510789250.2 | 申请日: | 2015-11-17 |
公开(公告)号: | CN105609446A | 公开(公告)日: | 2016-05-25 |
发明(设计)人: | 崔锺鸣;李汉晟;李尙勳 | 申请(专利权)人: | 普罗科技有限公司 |
主分类号: | H01L21/67 | 分类号: | H01L21/67 |
代理公司: | 北京同立钧成知识产权代理有限公司 11205 | 代理人: | 马爽;臧建明 |
地址: | 韩国仁川广域市*** | 国省代码: | 韩国;KR |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 积层型 半导体 封装 制造 装置 | ||
1.一种积层型半导体封装体的制造装置,所述积层型半导体封装体是第 一半导体封装体与第二半导体封装体以通过所述第一半导体封装体与第二半 导体封装体之间的封装体连接端子电连接的方式上下积层而成,所述积层型 半导体封装体的制造装置的特征在于包含:
接触式加热器,其以能够与所述第二半导体封装体的一面接触的方式设 置,以便通过封装体组装体的所述第二半导体封装体而对接着剂及封装体连 接端子进行加热,所述封装体组装体是以在所述第一半导体封装体与所述第 二半导体封装体之间介置有用以接合所述第一半导体封装体与所述第二半导 体封装体的所述接着剂及所述封装体连接端子的状态下,将所述第一半导体 封装体与所述第二半导体封装体结合而成;及
控制器,其以如下方式对所述接触式加热器进行控制,即,在所述接触 式加热器与所述第二半导体封装体的一面接触的状态下,将所述接触式加热 器的加热温度分别以固定时间保持为使所述接着剂硬化的硬化温度及使所述 封装体连接端子熔融的焊接温度。
2.根据权利要求1所述的积层型半导体封装体的制造装置,其特征在于:
还包含加热器冷却单元,所述加热器冷却单元冷却所述接触式加热器。
3.根据权利要求2所述的积层型半导体封装体的制造装置,其特征在于, 所述加热器冷却单元包含:
冷却套,其以与所述接触式加热器接触的方式设置,在内部具备供冷却 介质流动的冷却流路;及冷却介质供给器,其与所述冷却套连接,以便向所 述冷却套的冷却流路供给冷却介质。
4.根据权利要求1所述的积层型半导体封装体的制造装置,其特征在于:
所述接触式加热器在与所述第二半导体封装体的一面接触的接触面具备 吸附孔,以便吸附所述第二半导体封装体。
5.根据权利要求1所述的积层型半导体封装体的制造装置,其特征在于:
还包含温度传感器,所述温度传感器以与所述接触式加热器接触的方式 设置,以便检测所述接触式加热器的温度并将这个检测信息传输到所述控制 器。
6.根据权利要求1所述的积层型半导体封装体的制造装置,其特征在于:
还包含升降机构,所述升降机构与所述接触式加热器连接而使所述接触 式加热器在所述封装体组装体的上侧升降,以便所述接触式加热器与所述封 装体组装体的所述第二半导体封装体的一面接触。
7.根据权利要求6所述的积层型半导体封装体的制造装置,其特征在于:
所述控制器以如下方式对所述接触式加热器及所述升降机构进行控制, 即,所述接触式加热器以第一压力按压所述第二半导体封装体而对所述接着 剂进行加热,所述接触式加热器以第二压力按压所述第二半导体封装体而对 所述封装体连接端子进行加热。
8.根据权利要求7所述的积层型半导体封装体的制造装置,其特征在于:
还包含压力传感器,所述压力传感器设置到所述接触式加热器或所述接 触式加热器与所述升降机构之间,以便检测所述接触式加热器对所述第二半 导体封装体的接触压力并将这个检测信息传输到所述控制器。
9.根据权利要求1所述的积层型半导体封装体的制造装置,其特征在于:
还包含接着剂分配器,所述接着剂分配器向所述第一半导体封装体与所 述第二半导体封装体中的至少一者涂布所述接着剂。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造