[发明专利]一种自适应高精度恒流电路及开关电源

权利要求书

1.一种自适应高精度恒流电路，集成在电源的主控芯片(7)内，其特征在于：包括采样保持电路(1)、峰值计算电路(2)、退磁时间检测电路(3)、比较器(4)、前沿消隐电路(5)和RS触发器(6)；

所述采样保持电路(1)的输入端与主控芯片(7)的变压器初级峰值电流检测端连接，采样保持电路(1)的输出端与峰值计算电路(2)的第一输入端连接；

所述退磁时间检测电路(3)的输入端与主控芯片(7)的输出负载状态调节端连接，退磁时间检测电路(3)的输出端与峰值计算电路(2)的第二输入端连接；

所述峰值计算电路(2)的输出端与比较器(4)的第一输入端连接；

所述前沿消隐电路(5)的输入端与主控芯片(7)的变压器初级峰值电流检测端连接，前沿消隐电路(5)的输出端与比较器(4)的第二输入端连接；

所述比较器(4)的输出端与RS触发器(6)的R端连接；

所述RS触发器(6)的输出端用于输出控制功率管开启或关断的PWM信号，RS触发器(6)的S端连接PWM_ON信号；

所述RS触发器(6)在功率管开启期间，检测比较器(4)输出的逻辑控制信号ocp，当主控芯片(7)的变压器初级峰值电流检测端电压达到预设的峰值电压使逻辑控制信号ocp翻转时，RS触发器(6)输出的PWM信号翻转为低电平，功率管关断；在功率管关断期间，RS触发器(6)检测PWM_ON信号，当检测到需要开启功率管的PWM_ON信号时，RS触发器(6)输出的PWM信号翻转为高电平。

2.根据权利要求1所述的一种自适应高精度恒流电路，其特征在于：所述峰值计算电路(2)包括放大器A1、放大器A2、第一电流镜(9)、第二电流镜(10)、开关管M1、电容C5、电容C6和传输门；

所述放大器A1的同相输入端与主控芯片内部的基准电压连接，放大器A1的反相输入端与第一电流镜(9)的第一输出端连接，放大器A1的输出端与第一电流镜(9)的输入端连接，第一电流镜(9)的第二输出端分别与开关管M1的漏极、电容C5的第一端和传输门连接；

所述放大器A2的同相入端与采样保持电路的输出端连接，放大器A2的反相输入端与第二电流镜(10)的第一输出端连接，放大器A2的输出端与第二电流镜(10)的输入端连接，第二电流镜(10)的第二输出端与开关管M1的源极连接；

所述开关管M1的栅极与退磁时间检测电路的输出端连接；

所述传输门分别与电容C6的第一端和比较器的第一输入端连接；

所述电容C5和电容C6的第二端均接地。

3.根据权利要求2所述的一种自适应高精度恒流电路，其特征在于：所述第一电流镜(9)包括N沟道结型场效应晶体管M2、P沟道结型场效应晶体管M3、P沟道结型场效应晶体管M4和电阻R6，N沟道结型场效应晶体管M2的栅极与放大器A1的输出端连接，N沟道结型场效应晶体管M2的源极与放大器A1的反相输入端连接，N沟道结型场效应晶体管M2的源极通过电阻R6接地，N沟道结型场效应晶体管M2的漏极与P沟道结型场效应晶体管M3的源极连接，P沟道结型场效应晶体管M3的栅极分别与P沟道结型场效应晶体管M3的源极和P沟道结型场效应晶体管M4的栅极连接，P沟道结型场效应晶体管M3和P沟道结型场效应晶体管M4的漏极均接电源，P沟道结型场效应晶体管M4的源极分别与开关管M1的漏极、电容C5的第一端和传输门连接。

4.根据权利要求2所述的一种自适应高精度恒流电路，其特征在于：所述第二电流镜(10)包括N沟道结型场效应晶体管M5、P沟道结型场效应晶体管M6、P沟道结型场效应晶体管M7、N沟道结型场效应晶体管M8、N沟道结型场效应晶体管M9和电阻R7，N沟道结型场效应晶体管M5的栅极与放大器A2的输出端连接，N沟道结型场效应晶体管M5的源极与放大器A2的反相输入端连接，N沟道结型场效应晶体管M5的源极通过电阻R7接地，N沟道结型场效应晶体管M5的漏极与P沟道结型场效应晶体管M6的源极连接，P沟道结型场效应晶体管M6的栅极分别与P沟道结型场效应晶体管M6的源极和P沟道结型场效应晶体管M7的栅极连接，P沟道结型场效应晶体管M6和P沟道结型场效应晶体管M7的漏极均接电源，P沟道结型场效应晶体管M7的源极分别与N沟道结型场效应晶体管M8的漏极、N沟道结型场效应晶体管M8的栅极和N沟道结型场效应晶体管M9的栅极连接，N沟道结型场效应晶体管M8和N沟道结型场效应晶体管M9的源极均接地，N沟道结型场效应晶体管M9的漏极与开关管M1的源极连接。

5.一种开关电源，其特征在于：包括如权利要求1～4任意一项权利要求所述的自适应高精度恒流电路。