[发明专利]衬底刻蚀方法有效
| 申请号： | 201510792034.3 | 申请日： | 2015-11-17 |
| 公开（公告）号： | CN106711033B | 公开（公告）日： | 2020-07-17 |
| 发明（设计）人： | 朱印伍;吴鑫 | 申请（专利权）人： | 北京北方华创微电子装备有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/3065 | 分类号： | H01L21/3065 |
| 代理公司： | 北京荟英捷创知识产权代理事务所(普通合伙) 11726 | 代理人： | 陈亚英 |
| 地址： | 100176 北*** | 国省代码： | 北京;11 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 衬底 刻蚀 方法 | ||
1.一种衬底刻蚀方法，包括主刻蚀步骤和过刻蚀步骤，其特征在于，
所述主刻蚀步骤进一步包括步骤S1和步骤S2，当衬底的图形侧壁出现拐角时，结束所述步骤S1，同时开始所述步骤S2；
所述过刻蚀步骤进一步包括步骤S3和步骤S4，当所述拐角的高度达到固定值时，结束所述步骤S3，同时开始所述步骤S4；
其中，所述步骤S1和所述步骤S4所采用的用于冷却衬底的背吹气压小于所述步骤S2和所述步骤S3所采用的用于冷却衬底的背吹气压。
2.根据权利要求1所述的衬底刻蚀方法，其特征在于，所述步骤S1和所述步骤S4均采用第一背吹气压冷却衬底；所述步骤S2和所述步骤S3均采用第二背吹气压冷却衬底；所述第一背吹气压小于所述第二背吹气压。
3.根据权利要求1所述的衬底刻蚀方法，其特征在于，根据在进行所述主刻蚀步骤的过程中，掩膜的刻蚀速率判断衬底的图形侧壁出现拐角的时刻。
4.根据权利要求1所述的衬底刻蚀方法，其特征在于，根据在进行所述过刻蚀步骤的过程中，所述拐角的高度的降低速率判断所述拐角的高度达到固定值的时刻。
5.根据权利要求1所述的衬底刻蚀方法，其特征在于，所述固定值的取值范围在200~400nm。
6.根据权利要求1所述的衬底刻蚀方法，其特征在于，所述步骤S2和所述步骤S3的工艺时间之和为10~45min。
7.根据权利要求6所述的衬底刻蚀方法，其特征在于，所述步骤S1对应的工艺时刻为第0分钟~第20分钟。
8.根据权利要求6所述的衬底刻蚀方法，其特征在于，所述步骤S4对应的工艺时刻为第30分钟~工艺结束。
9.根据权利要求2所述的衬底刻蚀方法，其特征在于，所述第一背吹气压的取值范围在2~5Torr。
10.根据权利要求2所述的衬底刻蚀方法，其特征在于，所述第二背吹气压的取值范围在4~8Torr。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于北京北方华创微电子装备有限公司，未经北京北方华创微电子装备有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201510792034.3/1.html，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：离散输入输出信号的测试系统及测试方法
- 下一篇：一种盲插接头
- 同类专利
- 专利分类
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
