[发明专利]一种聚合物分散双稳态近晶A相液晶薄膜及其制备方法有效

专利信息
申请号: 201510792210.3 申请日: 2015-11-17
公开(公告)号: CN106707593B 公开(公告)日: 2019-10-22
发明(设计)人: 杨槐;郭姝萌;张兰英;张翠红;胡威 申请(专利权)人: 北京大学
主分类号: G02F1/1334 分类号: G02F1/1334;C09K19/54
代理公司: 北京方安思达知识产权代理有限公司 11472 代理人: 王宇杨;杨青
地址: 100871*** 国省代码: 北京;11
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摘要:
搜索关键词: 聚合物分散 液晶薄膜 双稳态 制备 薄膜 紫外光可聚合单体 介电各向异性 氧化铟锡薄膜 柔性电子纸 紫外光照射 玻璃微珠 光引发剂 节能环保 离子液体 汽车门窗 响应模式 混匀 配比 聚合 液晶 挤压 应用
【权利要求书】:

1.一种聚合物分散双稳态近晶A相液晶薄膜的制备方法,所述方法包括以下步骤:

将紫外光可聚合单体、介电各向异性为正的近晶A相液晶、离子液体、光引发剂、玻璃微珠按配比混匀后置于两片镀有氧化铟锡的薄膜之间,挤压成薄膜,紫外光照射聚合得到聚合物分散双稳态近晶A相液晶薄膜;

紫外光可聚合单体质量比为10%-50%,介电各向异性为正的近晶A相液晶质量比为50%-90%;

离子液体添加量为紫外光可聚合单体与介电各向异性为正的近晶A相液晶总质量的0.05%-5%,光引发剂的添加量为紫外光可聚合单体与介电各向异性为正的近晶A相液晶总质量的0.1%-10%,玻璃微珠的添加量为紫外光可聚合单体与介电各向异性为正的近晶A相液晶总质量的0.1%-10%。

2.根据权利要求1所述的聚合物分散双稳态近晶A相液晶薄膜的制备方法,其特征在于,挤压成薄膜的厚度为0.5-40μm。

3.根据权利要求1所述的聚合物分散双稳态近晶A相液晶薄膜的制备方法,其特征在于,在0℃-100℃下进行紫外光照射,紫外光强为1-20mw/cm2,照射时间为1-30分钟。

4.根据权利要求1所述的聚合物分散双稳态近晶A相液晶薄膜的制备方法,其特征在于,所述紫外可聚合单体包括不饱和聚酯类紫外可聚合单体、环氧丙烯酸酯类紫外可聚合单体、聚氨酯丙烯酸酯类紫外可聚合单体、聚酯丙烯酸酯类紫外可聚合单体、多烯硫醇体系紫外可聚合单体、聚醚丙烯酸酯类紫外可聚合单体、水性丙烯酸酯类紫外可聚合单体、乙烯基醚类紫外可聚合单体中的一种或多种。

5.根据权利要求1所述的聚合物分散双稳态近晶A相液晶薄膜的制备方法,其特征在于,所述紫外光可聚合单体为丙烯酸-3,5,5-三甲基己酯、甲基丙烯酸异冰酯、聚乙二醇二丙烯酸酯600中的一种或多种。

6.根据权利要求1所述的聚合物分散双稳态近晶A相液晶薄膜的制备方法,其特征在于,介电各向异性为正的近晶A相液晶为联苯氰类介电各向异性为正的近晶A相液晶或硅氧烷类介电各向异性为正的近晶A相液晶。

7.根据权利要求6所述的聚合物分散双稳态近晶A相液晶薄膜的制备方法,其特征在于,联苯氰类介电各向异性为正的近晶A相液晶为8CB、10CB、12CB,其中8CB:10CB:12CB的质量比为49:21:30。

8.权利要求1-7任一项所述聚合物分散双稳态近晶A相液晶薄膜的制备方法所制备的聚合物分散双稳态近晶A相液晶薄膜。

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