[发明专利]一种对埋地管道弱电磁影响的高压输电线在审
申请号: | 201510792682.9 | 申请日: | 2015-11-18 |
公开(公告)号: | CN105336434A | 公开(公告)日: | 2016-02-17 |
发明(设计)人: | 夏烬楚 | 申请(专利权)人: | 夏烬楚 |
主分类号: | H01B9/02 | 分类号: | H01B9/02;H01B7/17;H01B7/18 |
代理公司: | 成都九鼎天元知识产权代理有限公司 51214 | 代理人: | 吴彦峰 |
地址: | 610000 四川省成*** | 国省代码: | 四川;51 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 管道 电磁 影响 高压 输电线 | ||
技术领域
本发明涉及一种高压输电线,特别是一种对埋地管道弱电磁影响的高压输电线。
背景技术
高压电缆是一种用于传输和分配电能的电缆,常用于城市地下电网、发电站的引出线路、工矿企业的内部供电及过江、过海的水下输高压电缆,高压电缆为人们的日常生活提供必需的电力供应,起着至关重要的作用。由于高压电缆的应用环境比较恶劣,需要具备超强抗拉力、抗扭力、抗高机械应力、防水、阻燃、耐高温、抗化学腐蚀等特点。
同时,随着国内高压输电线路,管道建设的大发展,埋地管道与高压输电线之间相互影响的矛盾日益突出。例如高压输电线会对管道产生电磁感应,使管道带电,造成安全隐患。
发明内容
本发明的发明目的在于:针对上述存在的问题,提供一种具备超强抗拉力、抗扭力、抗高机械应力、防水、阻燃、耐高温、抗化学腐蚀等特点,同时对管道弱电磁影响,减小管道与输电线缆之间的矛盾,消除安全隐患的对埋地管道弱电磁影响的高压输电线。
本发明采用的技术方案如下:
本发明的一种对埋地管道弱电磁影响的高压输电线,包括绝缘外层,所述绝缘外层内包裹若干根内芯,所述内芯由若干根子芯绞接而成;所述绝缘外层的内表面覆盖有金属屏蔽层。
由于采用了上述技术方案,由子芯绞接形成的内芯具有超强抗拉力、抗扭力、抗高机械应力;金属屏蔽层能够将高压输电线缆产生的电磁能量吸收,从而屏蔽掉电磁,减小输电线缆对管道的电磁影响,减小管道与输电线缆之间的矛盾,消除安全隐患。
本发明一种对埋地管道弱电磁影响的高压输电线,所述内芯的截面呈扇形,所述扇形的圆心角为40°,半径为2.1cm,所述扇形的三个角为半径0.2cm的倒圆角;所述内芯的个数为4个,呈360°环形列阵排列;所述子芯的截面为圆形,所述子芯的直径为200nm。
由于采用了上述技术方案,能够保证子芯之间的缝隙最小,子芯之间的结合紧密,从而提高内芯的抗拉力、抗扭力和抗高机械应力。
本发明的一种对埋地管道弱电磁影响的高压输电线,所述内芯与内芯之间填充有绝缘封胶,所述绝缘封胶包括10%~12%二甲基硅油,9%~11%滑石粉,30%~32%TPR,2%~4%硬脂酸锌,0.8%~1.2%白炭黑,0.8%~1.2%硼酸,1.5%~2.5%亚麻油,4.5%~5.5%芥酸酰胺,12%~14%膨化剂,3%~5%过氧化苯二甲酰,9%~17%三羟甲基丙烷三丙烯酸酯,2%~10%十溴联苯醚。
由于采用了上述技术方案,内芯的截面为扇形,在边缘处可能会产生尖端放电的现象,在内芯与内芯之间填充的绝缘封胶能够有效的避免该现象的产生,该绝缘封胶具有良好的绝缘性,阻燃性和耐高温性;同时膨化剂能够使封胶内部产生大量的孔状结构,使得封胶本身质量较轻。
本发明的一种对埋地管道弱电磁影响的高压输电线,所述绝缘封胶包括11%二甲基硅油,10%滑石粉,31%TPR,3%硬脂酸锌,1%白炭黑,1%硼酸,2%亚麻油,5%芥酸酰胺,13%膨化剂,4%过氧化苯二甲酰,13%三羟甲基丙烷三丙烯酸酯,6%十溴联苯醚。
由于采用了上述技术方案,该比例为最佳取值。
本发明的一种对埋地管道弱电磁影响的高压输电线,所述子芯为芯核-中间层-壳层三层结构的CuO/Cu2SnO4/SnO2同轴电缆。
由于采用了上述技术方案,子芯采用该结构的同轴电缆,传输性能佳,且性质稳定,不仅工作温度的适应面广泛,且具有抗击穿特性,大大提高了高压输电的安全性。
本发明的一种对埋地管道弱电磁影响的高压输电线,所述子芯由以下几个步骤制备:
步骤一:将纯度为99.97%的Cu和纯度为99.97%的Sn按照质量比12.5:1混合,研磨至细度为325目,均匀混合;
步骤二:将混合均匀的金属粉均匀分撒在石英舟中,将石英舟置于气氛热处理程控高温炉陶瓷管中,将陶瓷管抽真空至1Pa,通入流量为80sccm的氩气,升温至高温炉内的温度达到900℃;
步骤三:保持炉内的温度为900℃,通入流量为40sccm的氧气,反应2h;
步骤四:真空条件下自然冷却至室温,得到芯核-中间层-壳层三层结构的CuO/Cu2SnO4/SnO2同轴电缆。
本发明的一种对埋地管道弱电磁影响的高压输电线,所述金属屏蔽层为ZnO/SiO2纳米纤维层,所述金属屏蔽层的厚度为150nm。
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