[发明专利]水氧阻隔层的制备方法

权利要求书

1.一种水氧阻隔层的制备方法，其特征在于：在基板之上依次制备至少2层薄膜层形成水氧复合阻隔层，制备每层薄膜层时，至少任意相邻的两层薄膜层在制备时采用的制备参数不同，使水氧复合阻隔层内的各层薄膜层组成水氧微通路不连通的失配结构。

2.根据权利要求1所述水氧阻隔层的制备方法，其特征在于：制备水氧复合阻隔层时分别采用溅射法、原子层沉积法、化学气相沉积法和真空蒸镀法中任意一种成膜方法或任意多种成膜方法的组合。

3.根据权利要求1或2所述水氧阻隔层的制备方法，其特征在于：当采用溅射法制备水氧复合阻隔层时，通过控制溅射材料种类、溅射功率、溅射气氛中的组分浓度、溅射气氛压力、基片负偏压、沉积温度、基片温度、基片与靶材距离和基片转速中任意一种参数或任意几种参数的组合，来分别制备性质或结构不同的各层薄膜层。

4.根据权利要求3所述水氧阻隔层的制备方法，其特征在于：当采用溅射法制备水氧复合阻隔层时，采用Al₂O₃、ZrO₂、SiO₂或Al制备各层薄膜层，或者采用不同的溅射材料组合制备各层薄膜层中的复合阻隔薄膜层。

5.根据权利要求1或2所述水氧阻隔层的制备方法，其特征在于：当采用原子层沉积法制备水氧复合阻隔层时，通过控制原子层沉积材料、前驱体温度、反应室真空度和基片温度中任意一种参数或任意几种参数的组合，来分别制备各层薄膜层。

6.根据权利要求1或2所述水氧阻隔层的制备方法，其特征在于：当采用化学气相沉积法制备水氧复合阻隔层时，通过控制沉积材料的种类、不同气体通入的流量比、等离子体密度、沉积温度、基片与气体入口的距离、沉积时腔体气压和反应气体计量比中任意一种参数或任意几种参数的组合，来分别制备各层薄膜层。

7.根据权利要求6所述水氧阻隔层的制备方法，其特征在于：当采用化学气相沉积法制备水氧复合阻隔层时，采用SiN_X或SiO₂制备各层薄膜层，或者采用不同的沉积材料制备各层薄膜层中至少一组相邻的薄膜层。

8.根据权利要求1或2所述水氧阻隔层的制备方法，其特征在于：当采用真空蒸镀法制备水氧复合阻隔层时，通过控制真空蒸镀材料、基片的表面性质、蒸镀时的温度、蒸镀速度、真空度和蒸发源与基片的相对位置中任意一种参数或任意几种参数的组合，来分别制备各层薄膜层。

9.根据权利要求6所述水氧阻隔层的制备方法，其特征在于：当采用真空蒸镀法制备水氧复合阻隔层时，采用Al₂O₃制备各层薄膜层。

10.根据权利要求1或2所述水氧阻隔层的制备方法，其特征在于：采用基板采用PEN、PET和PI中任意一种柔性衬底或玻璃、硅片和硬质塑料中的任意一种刚性基底。