[发明专利]用于薄膜太阳能电池透明电极的IWO材料的制备方法

权利要求书

1.用于薄膜太阳能电池透明电极的IWO材料的制备方法，其特征在于，包括下列步骤：

A.以纯度大于4N、平均粒径0.05-30微米的In₂O₃粉体和WO₃粉体为作主原料，其中In₂O₃粉体的重量比85%-99%，WO₃粉体的重量比1%-15%，掺杂主原料总重量的0%-6%的纯度大于99.95%的ZnO、Nb₂O₅、SnO₂、MoO₃其中的一种或几种，所有物料平均粒径均为0.05-30微米；

B.将以上粉体与粉体总重量20-50%的去离子水混和，加入粉体总重量0.1-0.5%的有机助剂，用球磨机球磨混合16小时以上，得水浆；

C.步骤B所得的水浆，加入水浆总重量0.8-1.5%的有机粘接剂，继续球磨混合1-3小时；

D.对步骤C的产物进行喷雾干燥造粒，得平均粒径50-300微米的靶材原料；

E.将步骤D所得靶材原料用100-200MP冷等静压成型或凝胶注模成型得到相对密度大于50%的坯体；

F.将此坯体300-600℃保温2-5小时脱除有机添加剂；

G:在氧气气氛炉中或空气炉中1300-1580℃烧结致密，得到相对密度大于98%的陶瓷半导体材料，即为IWO材料，导电性能良好，体电阻率小于7×10^-3Ω.cm。

2.如权利要求1所述的用于薄膜太阳能电池透明电极的IWO材料的制备方法，其特征在于：所述的主原料中In₂O₃粉体的重量比为90%-98%，WO₃粉体的重量比为2%-10%。

3.如权利要求2所述的用于薄膜太阳能电池透明电极的IWO材料的制备方法，其特征在于：所述有机助剂为三乙醇胺、聚丙烯酸铵或聚丙烯酸；所述有机粘接剂为聚乙烯醇或者聚丙烯酸铵。

4.如权利要求3之任一所述的用于薄膜太阳能电池透明电极的IWO材料的制备方法，其特征在于：用所制得IWO陶瓷半导体材料磁控溅射生产透明导电膜，电阻率小于5×10-4Ω.cm，在可见光区域400-900nm透过率大于83%，电子迁移率达到51cm²/VS，载流子浓度2.6×10²⁰/厘米³，适合用于硅基或者CIGS薄膜太阳能电池。