[发明专利]显示装置、制造方法及显示设备有效
申请号: | 201510794015.4 | 申请日: | 2015-11-18 |
公开(公告)号: | CN105244365B | 公开(公告)日: | 2018-09-25 |
发明(设计)人: | 熊志勇;楚海港 | 申请(专利权)人: | 上海天马有机发光显示技术有限公司;天马微电子股份有限公司 |
主分类号: | H01L27/32 | 分类号: | H01L27/32;H01L21/77 |
代理公司: | 上海隆天律师事务所 31282 | 代理人: | 臧云霄;钟宗 |
地址: | 201201 上海市浦*** | 国省代码: | 上海;31 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 显示装置 制造 方法 显示 设备 | ||
本发明提供了一种显示装置、制造方法及显示设备,显示装置包括:基板,包括显示区域;驱动电路,形成于显示区域的周围;钝化层,覆盖驱动电路,钝化层包括暴露驱动电路的接触孔;第一导电层,覆盖钝化层,通过接触孔接触驱动电路;以及显示元件,形成于显示区域,显示元件具有自显示区域向驱动电路延展的第一电极层,第一电极层通过第一导电层与驱动电路电连接。本发明的显示装置、制造方法及显示设备缩短了封装区域与显示区域之间的距离,以便减小边框的宽度,实现窄边框结构。
技术领域
本发明涉及显示技术领域,尤其涉及一种显示装置、制造方法及显示设备。
背景技术
如图1所示,图1为现有技术的一种显示装置的俯视图,现有的显示装置10’主要包括形成于基板1’之上的布设像素的显示区域2’、驱动电路3’和封装区域4’。封装区域4’围绕显示区域2’,驱动电路3’位于封装区域4’与显示区域2’之间。
如图2所示,图2为图1中沿E-E方向的剖面示意图。图2中的A部分表示显示区域2’、驱动电路3’与封装区域4’之间的剖面示意图;B部分表示显示区域2’的剖面示意图。基板1’包括显示区域2’。驱动电路3’形成于显示区域2’的周围。钝化层5’覆盖驱动电路3’,钝化层5’包括暴露驱动电路3’的接触孔。显示元件形成于显示区域2’,显示元件至少包括阴极6’、驱动元件层7’、像素定义层8’、有机发光层9’。阴极6’自显示区域2’向驱动电路3’延展,阴极6’通过接触孔与驱动电路3’电连接。该显示装置10’为有源矩阵有机发光显示装置(Active-matrix organic light emitting diode,AMOLED)面板,驱动元件层7’中进一步包含薄膜晶体管驱动元件、阳极等元件。
显示装置10’,其中阴极6’的边界超出显示区域2’很多,在超出的这一部分(位于驱动电路3’之上,通常超出的距离h要大于驱动电路3’的宽度H的70%,甚至是80%),实现阴极6’与下层电路(驱动电路3’)的导通和连接。其中,阴极6’的厚度可以为150埃。
因此这一区域的成膜质量直接影响着窄边框的效果。如图4所示,图4为现有技术的显示装置蒸镀状态的示意图。将显示装置10’设置在掩膜12’上,放置在蒸发源13’的上方,蒸发源13’通过蒸镀工艺制作阴极(图中未示出)。由于蒸镀工艺的边界极难控制,所以薄膜边界的位移量会比较大。那么,如果边界偏移到封装区域4’,则会影响封装的效果;如果边界便移到显示区域2’,则显示装置10’会因为导通不良而产生显示异常。所以,一般地,封装区域4’与显示区域2’之间的距离会留的足够的大,特别当驱动电路3’可以缩到很小的时候,这一距离仍然会要求足够的大。这种情况对于面板的窄边框来说,是及其不利的。
发明内容
针对现有技术中的缺陷,本发明的目的在于提供显示装置、制造方法及显示设备,缩短了封装区域与显示区域之间的距离,以便减小边框的宽度,实现窄边框结构。
根据本发明的一个方面,提供一种显示装置,包括:
基板,包括显示区域;
驱动电路,形成于所述显示区域的周围;
钝化层,覆盖所述驱动电路,所述钝化层包括暴露所述驱动电路的接触孔;
第一导电层,覆盖所述钝化层,通过所述接触孔接触所述驱动电路;以及
显示元件,形成于所述显示区域,所述显示元件具有自所述显示区域向所述驱动电路延展的第一电极层,所述第一电极层通过所述第一导电层与所述驱动电路电连接。
根据本发明的另一个方面,还提供一种显示设备,包括一显示装置,所述显示装置包括:
基板,包括显示区域;
驱动电路,形成于所述显示区域的周围;
钝化层,覆盖所述驱动电路,所述钝化层包括暴露所述驱动电路的接触孔;
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于上海天马有机发光显示技术有限公司;天马微电子股份有限公司,未经上海天马有机发光显示技术有限公司;天马微电子股份有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的