[发明专利]一种超宽频太赫兹波减反构件及超宽频太赫兹波吸收器

权利要求书

1.一种超宽频太赫兹波减反构件，设置在超宽频太赫兹波吸收器的衬底上，用于在超宽频范围内降低太赫兹波辐射的反射，其特征在于：

所述超宽频太赫兹波减反构件的折射率的范围为1.2～3.5，由多层折射率顺序变化的复合材料层组成，

其中，多层所述复合材料层包含：靠近所述衬底的五层折射率为1.5～3.5的高折射率复合材料层，以及在所述高折射率复合材料层上的折射率为1.2～1.5的低折射率复合材料层，

自靠近所述衬底的一层开始，折射率逐渐减小，且六层所述复合材料层的折射率满足以下公式：

式中，n₀为空气的折射率，n_1-6为各复合材料的理想折射率，n_Si为 硅的折射率，

所述低折射率复合材料层由中空的纳米或微米小球与高分子聚合物复合而成，

所述高折射率复合材料层由氧化钛粉、氧化锆粉、硅粉中的任意一种与高分子聚合物复合而成，

所述五层高折射率复合材料层中的氧化钛粉、氧化锆粉或硅粉的质量分数不同，每层所述高折射率复合材料层的厚度为100～250μm，

所述超宽频太赫兹波减反构件的厚度为1mm。

2.根据权利要求1所述的超宽频太赫兹波减反构件，其特征在于：

其中，所述中空的纳米或微米小球为中空聚苯乙烯球或中空石英球。

3.根据权利要求1所述的超宽频太赫兹波减反构件，其特征在于：

其中，所述高分子聚合物为聚乙烯(PE)、聚苯乙烯(PS)、聚环烯烃(COP)、聚氨酯(PU)、聚酰亚胺(PI)、环氧树脂中的任意一种。

4.一种超宽频太赫兹波吸收器，其特征在于，具有：

低阻硅片；以及

超宽频太赫兹波减反构件，固定于所述低阻硅片上，用于降低太赫兹辐射的反射，

其中，所述超宽频太赫兹波减反构件为权利要求1～3任一项所述的超宽频太赫兹波减反构件。

5.根据权利要求4所述的超宽频太赫兹波吸收器，其特征在于：

其中，所述低阻硅片的厚度不小于300μm。