[发明专利]一种半成品电池片抗PID性能的测试方法

说明书

技术领域

本发明涉及太阳能电池制造技术领域，特别是涉及一种半成品电池片抗PID性能的测试方法。

背景技术

PID效应(PotentialInducedDegradation)是一种高强度负电压诱发的组件性能降低现象，指组件在偏压、高温和高湿度的恶劣环境中出现功率衰减的效应，由于光伏组件使用时间长达25年，极有可能遇上较为恶劣的气候环境，PID情况严重时可造成电站输出功率大幅下降，甚至衰减高达90％以上，严重损害运营者和电站投资者的利益。上述失效的原理如下：在系统中，组件串联工作时产生的高输出电压使组件相对铝边框处于高的负电位，在这种负电位的作用下，从铝边框有痕量的正电荷(主要为Na⁺)通过玻璃、EVA和硅胶等媒介流入电池片表面，在电池片表面的SiN_x膜上聚集，中和PN结，从而损害电池片的电性能。目前的电池片的抗PID方式如下：在电池PN结表面与减反膜之间形成一层超薄的氧化层，即二氧化硅层，二氧化硅层可以阻挡正离子对PN结的侵蚀，从而减小PID效应的影响，半成品表面生成的二氧化硅，不做其他特殊的处理，仍带有亲水基团的羟基。

现有技术中的一种确认半成品抗PID性能的测试方法如下：取半成品电池片，将去离子饱和水滴在抗PID半成品电池表面，共设置5个点，四角分别设置一个点，中心处具有一点；将该抗PID半成品电池片倾斜成与水平面有一定角度的倾斜状，倾斜度为45度；通过去离子水在抗PID半成品电池片的形态决定，若去离子水在PID半成品电池片上有扩散趋势并且能够沿着倾斜方向顺势流下，则该抗PID半成品电池片的抗PID性能合格。

然而，上述检验电池片抗PID性能的方法具有如下缺点：由于将滴去离子水后的半成品倾斜处理，只要有氧化层去离子水都会顺势流下，不能确认硅片表面氧化层的均匀性，例如出现由于某些原因导致部分小区域氧化层相对较薄的情况，则不能进行有效的判断，且该方法需要到特定的地点将滴去离子水后的半成品倾斜处理，操作也有所不便。

发明内容

为解决上述问题，本发明提供了一种半成品电池片抗PID性能的测试方法，能够有效的测量半成品电池片的抗PID性能，且操作方便。

本发明提供的一种半成品电池片抗PID性能的测试方法，包括：

将半成品电池片水平放置；

在所述半成品电池片的表面上的多个位置点滴上去离子水；

观察所述去离子水自然扩散之后的形态；

根据所述形态判断所述半成品电池片的抗PID性能。

优选的，在上述半成品电池片抗PID性能的测试方法中，在所述半成品电池片的表面上的多个位置点滴上去离子水为：

利用滴管吸取至少1毫升去离子水，在所述半成品电池片的表面上的多个位置点以上1厘米的位置滴上所述去离子水。

优选的，在上述半成品电池片抗PID性能的测试方法中，在所述半成品电池片的表面上的多个位置点滴上去离子水为：

在所述半成品电池片的表面上的25个位置点滴上去离子水，且所述25个位置点在所述半成品电池片的表面均匀分布。

优选的，在上述半成品电池片抗PID性能的测试方法中，在所述半成品电池片的表面上的多个位置点滴上去离子水为：

在所述半成品电池片的表面上的每个所述位置点滴一滴去离子水，且所述一滴去离子水的体积范围为0.04毫升至0.05毫升。

优选的，在上述半成品电池片抗PID性能的测试方法中，所述根据所述形态判断所述半成品电池片的抗PID性能为：

当所述去离子水的水滴直径不变，则判断所述半成品电池片的抗PID性能不合格。

优选的，在上述半成品电池片抗PID性能的测试方法中，所述根据所述形态判断所述半成品电池片的抗PID性能为：

当所述去离子水的水滴具有扩散形态，且所述水滴的边缘为锯齿状，则判断所述半成品电池片的抗PID性能不合格。

优选的，在上述半成品电池片抗PID性能的测试方法中，所述根据所述形态判断所述半成品电池片的抗PID性能为：

当所述去离子水的水滴具有扩散形态，且在5秒至10秒之后，各个所述位置点的所述水滴的直径不同，则判断所述半成品电池片的抗PID性能不合格。

优选的，在上述半成品电池片抗PID性能的测试方法中，所述根据所述形态判断所述半成品电池片的抗PID性能为：

当各个所述位置点的所述水滴具有扩散形态，且扩散直径相同，边缘平滑，则判断所述半成品电池片的抗PID性能合格。